冯涛
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茅东升
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李炜
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柳襄怀
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王曦
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张福民
,
李琼
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徐静芳
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诸玉坤
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.018
采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能.通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能.测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2.利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管.
关键词:
类金刚石薄膜
,
图形化
,
场发射显示器
李炜
,
茅东升
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张福民
,
王曦
,
柳襄怀
,
邹世昌
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诸玉坤
,
李琼
,
徐静芳
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.01.006
用离子束溅射法制备了用于场发射显示器(FED)的ZnO:Zn荧光薄膜.采用RBS、XRD、AFM、Hall和PL谱等手段表征了热处理前后的薄膜.RBS结果表明薄膜中存在一定数量的过量Zn.沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相,其表面形貌表现出多种结构.Hall检测发现,升高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度,说明过量Zn含量的下降;当热处理温度超过400℃时,Hall迁移率迅速上升,表明薄膜结晶性能的改善.在ZnO:Zn薄膜的PL谱中检测到紫外/紫光、蓝/绿光两组荧光峰,一价氧空位(Vo)充当了蓝/绿光的发光中心.薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大,可能的原因包括薄膜结构缺陷的修复、成分均匀化和过量Zn的蒸发,但这些效应在不同温度范围的作用程度各不相同.
关键词:
ZnO:Zn
,
荧光薄膜
,
热处理
,
光致发光
