靳福江
,
卢兵
,
朱凤稚
,
罗峰
,
柳星
,
代伟男
,
刘华
,
范峻
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0521
介绍了新型TFT LCD黑矩阵细线化研究.在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果.实验测试结果显示:在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0～1.5 μm.在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3～0.5 μm.通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5～2.0 pm,达到5.0～5.5 μm,可以满足目前高PPI(单位面积像素个数)产品对透过率和对比度要求.
关键词:
黑矩阵
,
线宽
,
相位移掩膜板
,
背面曝光
靳福江
,
王在清
,
范峻
,
刘阳升
,
曾望明
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132802.0220
介绍了一种含有柱状隔垫物彩膜基板的剥离技术.采用层数顺序方法,两步剥离工艺.第一步,采用剥离液,进行260 s,迅速剥离柱状隔垫物层；第二步,刻蚀液进行650 s和剥离液进行650 s共同作用,先后剥离玻璃基板上透明导电氧化铟锡层、颜色层,挡光层.使之剥离后成为可以再次利用的干净白玻璃.
关键词:
剥离技术
,
柱状隔垫物层
,
金属氧化铟锡
,
刻蚀液
,
剥离液
