范修军
,
王越
人工晶体学报
采用固相反应法制备了MnO2掺杂Sr.95Ca0.05.osNaNbsO15+y wt%MnO2(SCNNM)无铅压电陶瓷.研究了MnO2掺杂对SCNNM陶瓷显微结构及电学性能的影响.结果表明:当y≤0.7时,SCNNM陶瓷为单一的四方钨青铜结构,当y≥1.0时有第二相生成;少量MnO2掺杂能有效降低烧结温度,促进晶粒长大,显著提高SCNNM陶瓷的介电、压电性能,降低矫顽场和居里温度,当y＞0.7时,陶瓷烧结恶化,性能降低.当y＝0.5时,SCNNM陶瓷具有较好的介电、压电和铁电性能:介电系数εr＝2123,介电损耗tanδ＝0.038,平面伸缩振动机电耦合系数Kp＝13.4%,厚度伸缩振动机电耦合系数K1＝36.5%,矫顽场E.＝12.68 kV/cm,剩余极化强度Pr＝4.76 μC/cm2,压电系数d33＝190 pC/N,机械品质引因数Qm＝1455,居里温度Tc＝260℃.
关键词:
MnO2掺杂
,
钨青铜结构
,
SCNNM
,
压电陶瓷
范修军
,
王越
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00933
采用传统陶瓷制备工艺制备了Mn掺杂的钨青铜结构无铅压电陶瓷Sr2-xCaxNaNb5O15+ywt%MnO2 (x=0.05~0.35, y=0, 0.3, 0.5) (SCNN-M), 并对SCNN-M陶瓷相组成、微观结构及介电、压电、铁电性能进行了研究. 分析表明: Ca2+已进入Sr2NaNb5O15 晶格之中形成固溶体; 掺杂适量的锰, 能够得到致密、单一的钨青铜结构陶瓷, 有效降低烧结温度, 促进晶粒长大, 显著提高陶瓷的介电、压电、铁电性能. 当x=0.05, 添加0.5wt%的MnO2时, 陶瓷具有较好的介电、压电和铁电性能: 介电常数Er=2123, 介电损耗tand=0.038, 压电系数d33=190pC/N, 机械品质因数Qm=1455, 平面伸缩振动机电耦合系数Kp=13.4%, 厚度伸缩振动机电耦合系数Kt=36.5%, 剩余极化强度Pr=4.76uC/cm2, 自发极化强度Ps=9.36uC/cm2, 矫顽场Ec=12.68kV/cm, 居里温度Tc=260℃.
关键词:
锰掺杂
,
tungsten-bronze structure
,
SCNN-M
,
piezoelectric ceramics
范修军
,
王越
,
马云峰
,
邸大伟
,
徐宏
,
刘国庆
人工晶体学报
采用光学浮区法生长了φ7 mm×70 mm的红宝石晶体.晶体的生长界面为凸界面,生长方向为<001>方向.X射线双晶摇摆曲线表明晶体具有良好的质量.研究了生长温度、旋转速率、生长速率对晶体质量的影响,确定了合理的工艺条件.通过扫描电镜、能量散射光谱仪、X射线衍射、化学腐蚀结合偏光显微镜对红宝石晶体中气泡、位错、胞状组织和溶质尾迹等缺陷进行了分析.
关键词:
红宝石晶体
,
晶体生长
,
光学浮区法
,
晶体缺陷
范修军
,
王越
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00933
采用传统陶瓷制备工艺制备了Mn掺杂的钨青铜结构无铅压电陶瓷Sr2-xCaxNaNb5O15+ywt％MnO2 (x=0.05～0.35,y=0,0.3,0.5) (SCNN-M),并对SCNN-M陶瓷相组成、微观结构及介电、压电、铁电性能进行了研究.分析表明:Ca2+已进入Sr2NaNb5O15晶格之中形成固溶体;掺杂适量的锰,能够得到致密、单一的钨青铜结构陶瓷,有效降低烧结温度,促进晶粒长大,显著提高陶瓷的介电、压电、铁电性能.当x=0.05,添加0.5wt％的MnO2时,陶瓷具有较好的介电、压电和铁电性能:介电常数εr=2123,介电损耗tanδ=0.038,压电系数d33=190pC/N,机械品质因数Qm=1455,平面伸缩振动机电耦合系数Kp=13.4％,厚度伸缩振动机电耦合系数Kt=36.5％,剩余极化强度Pr=4.76μC/cm2,自发极化强度Ps=9.36μC/cm2,矫顽场Ec=12.68kV/cm,居里温度Tc=260℃.
关键词:
锰掺杂
,
钨青铜结构
,
SCNN-M
,
无铅压电陶瓷
范修军
,
王越
,
徐宏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01266
报道了A:Al2O3(A=Cr, Fe, Ni)晶体光学浮区法生长工艺, 研究了旋转速率、生长速率对晶体质量的影响, 制备出了直径6~8 mm、长度为60~80 mm的A:Al2O3晶体. A:Al2O3晶体的生长方向为<001>方向, X射线双晶摇摆曲线表明A:Al2O3晶体具有良好的晶体质量. 通过X射线衍射、扫描电镜、偏光显微镜对晶体中的生长缺陷进行了研究, 结果表明, A:Al2O3晶体的主要缺陷为小角度晶界、包裹体和溶质尾迹. 研究了A:Al2O3晶体的光谱性能, 并对A:Al2O3晶体的介电性能进行了测量, 室温下1000 kHz时A:Al2O3晶体表现出较高的介电系数er(12.1~15.7)和较小的介电损耗tand(0.0020~0.0002).
关键词:
A:Al2O3
,
single crystal growth
,
floating zone technique
,
crystal defects
范修军
,
王越
,
徐宏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01266
报道了A:Al2O3(A=Cr,Fe,Ni)晶体光学浮区法生长工艺,研究了旋转速率、生长速率对晶体质量的影响,制备出了φ6～8 mm、长度为60～80 mm的A:Al2O3晶体.A:Al2O3晶体的生长方向为<001>方向,X射线双晶摇摆曲线表明A:Al2O3晶体具有良好的晶体质量.通过X射线衍射、扫描电镜、偏光显微镜对晶体中的生长缺陷进行了研究,结果表明,A:Al2O3晶体的主要缺陷为小角度晶界、包裹体和溶质尾迹.研究了A:Al2O3晶体的光谱性能,并对A:Al2O3晶体的介电性能进行了测量,室温下1000 kHz时A:Al2O3晶体表现出较高的介电系数εr(12.1～15.7)和较小的介电损耗tanδ(0.0020～0.0002).
关键词:
A:Al2O3
,
晶体生长
,
光学浮区法
,
晶体缺陷
