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声表面波用压电晶体的新进展

徐家跃 , 武安华 , 陆宝亮 , 张爱琼 , 范世(马山豆) , 夏宗仁

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.019

报道了我们在Li2B4O7、Sr3Ga2Ge4O14、LiNbO3、LiTaO3等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展.采用改进型坩埚下降法成功生长了直径3~4英寸的Li2B4O7晶体,并实现了批量生产.作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一,Sr3Ga2Ge4O14晶体具有最大的压电系数.报道了直径2英寸Sr3Ga2Ge4O14晶体的生长结果,测试了该晶体的压电性能.在CO2(90%)、H2(10%)混合气氛中,分别在700℃和450℃下对LN和LT晶片进行化学还原处理,成功制备了3英寸LN和LT低静电黑片,不仅减少了器件制作工序,而且使成品率提高了5~8百分点.此外,在密封坩埚中生长了低静电LiNbO3晶体,观察到一些新的现象.

关键词: 压电 , 坩埚下降法 , 晶体生长 , 黑片 , 声表面波

GdCOB晶体的坩埚下降法生长

钟真武 , 罗军 , 范世(马山豆) , 钱国兴 , 林雅芳 , 孙仁英

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.004

本文报道了非线性光学晶体Ca4GdO(BO3)3(GdCOB)的垂直Bridgman法生长.已获得直径25mm的高质量单晶.生长界面处的纵向温度梯度维持在30~40℃/cm,生长速度0.2~0.8mm/h.GdCOB晶体为二维成核的层状生长机制,易出现(111)及(20)解理面.讨论了影响生长的因素.保证原料配比准确和混料充分,减小温度波动和测温误差等是成功生长GdCOB晶体的重要因素.

关键词: 非线性光学晶体 , GdCOB晶体 , 垂直Bridgman法

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