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徐海钢 , 朱静 , 苑洪 , 宁小光 , 叶恒强
金属学报
用透射电子显微术、表面化学分析等技术对两种SiC晶须的形态、内部缺陷、表面化学成分及其与晶须生长机制之间的联系进行了研究。在此基础上,提出了单晶百分比;直径与长度;内部与表面成分;缺陷类型及分布;生长结晶学特征等五个方面作为表征晶须显微结构的判据。
关键词: 碳化硅 , whisker , microstructure , defect
