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Pb(TiSn)O3掺杂及烧结温度对BaTiO3系统介电性能的影响

王爽 , 苏皓

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.01.001

对Pb(TiSn)O3掺杂及烧结温度对BaTiO3陶瓷的微观结构和介电性能的影响进行了研究.研究表明,在BaTiO3陶瓷中添加Pb(TiSn)O3,产生细晶效应使介电常数增大,同时居里温度升高到到150℃,电容量变化率特性改善.XRD分析表明,四方率随烧结温度的提高而减小,有助于电容量变化率特性的改善.本实验获得了满足X8R特性的瓷料系统,掺杂0.9mo1%Pb(TiSn)O3的BaTiO3陶瓷在1180℃烧结6小时的介电性能如下:介电常数ε25℃＞1500,介电损耗tanδ＜1.8%,-55 ℃～180℃范围内最大电容量变化率≤±15%.

关键词: 电子材料 , 钛酸钡 , X8R , 烧结温度

添加剂对MgTiO3系统陶瓷介电性能的影响

苏皓 , 吴顺华 , 颜海洋

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2004.03.009

用电子陶瓷工艺制备主晶相为MgTiO3,附加晶相为CaTiO3的介电陶瓷.MgTiO3是具有钛铁矿结构的晶体,属于六方晶系.调节MgTiO3与CaTiO3的比例可以把该系统的温度系数调节到零附近,并适当提高εr.研究硼掺杂对MgTiO3系统陶瓷的介电性能的影响:硼掺杂降低了陶瓷的烧结温度,同时加快了陶瓷的致密化过程,而且对Q值(Q=1/tanδ)没有明显的负面影响.硼在烧结中以液相存在,因而促进了烧结中反应的进行,起到了助熔剂的作用.

关键词: MgTiO3 CaTiO3 介电性能 硼掺杂

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