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MoO3掺杂对高磁导率NiCuZn铁氧体性能的影响

苏桦 , 张怀武 , 唐晓莉 , 向兴元

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2004.03.011

为获得具有高磁导率、高居里温度的NiCuZn铁氧体材料,研究了MoO3掺杂对NiCuZn铁氧体微观结构及电磁性能的影响.少量MoO3掺杂可使铁氧体晶粒尺寸增大,均匀性改善,起始磁导率提高,而居里温度仅有较小幅值的下降.但掺杂过量时,晶粒中气孔率增加,起始磁导率下降,损耗也大为增加.在配方(Ni0.28Cu0.1Zn0.62)Fe2.04O4中,当MoO3掺杂为0.12wt%时,可获得起始磁导率为2650,而居里温度高达到105℃的铁氧体材料.

关键词: NiCuZn铁氧体 , 起始磁导率 , 居里温度 , MoO3掺杂

半金属 Fe₃O₄薄膜的制备工艺探索

唐晓莉 , 张怀武 , 苏桦 , 钟智勇

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00741

半金属材料Fe₃O₄是一种新型的功能自旋电子材料, 由于其具有百分之百的自旋极化率而备受关注. 但由于铁元素存在多种价态的氧化物, 使得制备单一成分的Fe₃O₄非常困难, 因而本文着重对磁控反应溅射制备单一成分的Fe₃O₄薄膜进行了研究, 探索了晶化温度对薄膜结构的影响, 并通过引入缓冲层Ta对其性能进行改善, 得到了反应溅射制备半金属Fe₃O₄的最优条件. 另外, 通过对所制备的Fe₃O₄薄膜磁电阻效应的测试, 发现多晶Fe₃O₄具有同单晶Fe₃O₄薄膜类似的负磁电阻效应, 因此有望将其应用到自旋电子器件中.

关键词: 半金属材料 , spintronic material , Fe3O4 thin film

半金属Fe3O4薄膜的制备工艺探索

唐晓莉 , 张怀武 , 苏桦 , 钟智勇

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.03.037

半金属材料Fe3O4是一种新型的功能自旋电子材料,由于其具有百分之百的自旋极化率而备受关注.但由于铁元素存在多种价态的氧化物,使得制备单一成分的Fe3O4非常困难,因而本文着重对磁控反应溅射制备单一成分的Fe3O4薄膜进行了研究,探索了晶化温度对薄膜结构的影响,并通过引入缓冲层Ta对其性能进行改善,得到了反应溅射制备半金属Fe3O4的最优条件.另外,通过对所制备的Fe3O4薄膜磁电阻效应的测试,发现多晶Fe3O4具有同单晶Fe3O4薄膜类似的负磁电阻效应,因此有望将其应用到自旋电子器件中.

关键词: 半金属材料 , 自旋电子材料 , Fe3O4薄膜

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