李冬梅
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李璠
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苏宏波
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王立
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戴江南
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蒲勇
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方文卿
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江风益
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.014
本文采用常压MOGVD方法在Ti/Si(111)模板上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,使用二乙基锌为Zn源,去离子水为O源.Si衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发,然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶,接着在680℃进行ZnO薄膜的生长.采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、结晶性能及发光性能.结果表明,本文制备了高度择优取向和良好发光性能的ZnO薄膜.
关键词:
氧化锌
,
金属Ti
,
Si衬底
,
金属有机化学气相沉积
