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Sn基无铅钎料晶须生长行为的研究

刘思涵 , 马立民 , 舒雨田 , 左勇 , 郭福

稀有金属材料与工程

研究了有机-无机笼形硅氧烷齐聚物(POSS)对Sn基无铅钎料晶须生长行为的影响.分别采用纯Sn和Sn3.0Ag0.5Cu (SAC305)作为基体,加入3%(质量分数)的POSS硅三醇制各复合钎料.样品在-45~85℃的高低温循环条件下进行晶须生长加速实验,并观察样品表面及界面显微组织的演变.结果表明,POSS可在加速条件下稳定钎料基体,同时通过提高钎料的强度和硬度,来缓解钎料在热循环应力作用下产生的塑性形变,进而有效抑制2种钎料的晶须生长.

关键词: 晶须 , 无铅钎料 , POSS

通过添加POSS颗粒抑制锡基无Pb焊层的晶须生长

左勇 , 马立民 , 刘思涵 , 舒雨田 , 郭福

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2014.00495

在Sn,Sn-3.0Ag-0.5Cu和Sn42-Bi58钎料中添加具有纳米结构的笼形硅氧烷齐聚物(POSS)作为增强相,研究了增强相在恒温恒湿(85℃,相对湿度85%)条件下对锡基无Pb焊层晶须生长行为的影响.结果表明,在恒温恒湿条件下,锡基无Pb焊层晶须生长的驱动力是Sn的氧化物生成引起体积膨胀从而对周围焊层产生的压应力;添加POSS可以有效缓解金属Sn的氧化进程,抑制Sn的氧化物生成,从而减缓晶须生长;在Sn,Sn3.0Ag0.SCu和Sn58Bi焊层中,Sn焊层晶须生长能力最强,Sn58Bi焊层晶须生长能力最弱.

关键词: 无Pb钎料 , 晶须生长 , 硅氧烷齐聚物(POSS)

高优值系数In4Se3多晶的制备及其热电输运特性

赵然 , 马立民 , 郭福 , 胡扬端瑞 , 舒雨田

无机材料学报 doi:10.15541/jim20140396

分别采用不同的熔炼、退火工艺,结合放电等离子烧结方法制备了块状多晶 In4Se3热电材料。研究了熔炼时间和退火时间对材料物相、成分、显微结构及热电性能的影响。熔炼后铸锭中存在In及InSe杂相, Se缺失量随熔炼时间的延长而增加,使得样品载流子浓度增大,电导率有所提高,熔炼48 h样品ZT值相对较高。在确定熔炼工艺的基础上,进行不同时间的退火处理后, InSe相消失,显微结构中分布有较大尺寸的台阶状结构,这种台阶状结构有利于降低热导率,而对电导率无明显影响。实验结果表明:一定程度延长熔炼时间、退火时间对提高样品的热电性能有积极作用,其中熔炼48 h再退火96 h后的样品ZT值最高,在702 K达到0.83,比文献值提高约32%。

关键词: In4Se3 , 热电性能 , 真空熔炼 , 退火

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