胡盛青
,
万绍平
,
刘韵妍
,
舒阳会
,
谭春林
,
张刚
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.06.017
选用W7与W63两种SiC粉末,采用高、低温粘结剂配合,模压成型,850℃空气气氛低温多段烧结,制备出体积分数为65.13％的SiC预制件,真空压力浸渗6063A1合金熔液,得到SiCp/A1复合材料.结果表明:复合材料XRD图谱中未出现明显的Al4C3界面相和SiO2杂相；致密度高；100℃时的热膨胀系数为7.592×10 -6K-1;常温下热导率为172.68/W(m·K)-1；4mm×3mm×30mm规格样品的最大弯曲载荷为335.5N,弯曲位移为0.16mm左右；综合性能优良,是优异的电子封装材料.
关键词:
低温多段烧结
,
真空压力浸渗
,
SiCp/Al
胡盛青
,
万绍平
,
刘韵妍
,
舒阳会
,
谭春林
材料科学与工艺
选用W10与W63两种SiC粉末,采用高、低温粘结剂配合,模压成型,750℃微波烧结,制备出体积分数为70.28%的SiC预制件,真空压力浸渗6063Al合金熔液,得到SiCp/Al复合材料.结果表明：复合材料XRD图谱中未出现明显的Al4C3界面相和SiO2杂相;致密度高;100℃时的热膨胀系数为7.239×10-6K-1;常温下热导率为160.42/W（m.K）-1;4mm×3mm×30mm规格样品的最大弯曲载荷为282N,弯曲位移为0.29mm左右;综合性能优良,是优异的电子封装材料.
关键词:
微波烧结
,
真空压力浸渗
,
SiCp/Al
