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高频放电等离子体引发碳化硅表面接枝聚合甲基丙烯酸甲酯

韦刚 , 钟少锋 , 孟月东 , 舒兴胜

材料科学与工艺

高频放电氮气等离子体表面处理纳米碳化硅粉体,进而在碳化硅表面上引发甲基丙烯酸甲酯单体接枝聚合,在纳米碳化硅表面形成一层保护膜.红外(FTIR),X射线光电子能谱(XPS)以及热失重分析(TGA)测试表明该聚合膜是通过化学键连接在碳化硅表面的,X射线衍射光谱(XRD)表明经等离子体处理改性的碳化硅粉体只是其表面性质发生了改变,其晶体结构并没有发生任何变化.

关键词: 等离子体 , 接枝聚合 , 纳米碳化硅 , 聚甲基丙烯酸甲酯

电子回旋共振等离子体辅助溅射沉积锂磷氧氮薄膜

李驰麟 , 傅正文 , 舒兴胜 , 任兆杏

无机材料学报

用电子回旋共振(ECR)等离子体辅助射频溅射沉积法制备快锂离子传导的锂磷氧氮(LiPON)薄膜. X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱等手段表征了在不同ECR功率辅助下沉积的薄膜. 结果显示, ECR等离子体对磁控溅射沉积薄膜的生长有明显的影响,能够提高N的插入量, 改变薄膜的组成与结构. 但是过高的ECR功率反而易破坏薄膜的结构, 不利于N的插入. 最佳的实验条件是在ECR 200W辅助下沉积的LiPON薄膜, 它的电导率约为8×10-6S/cm. 讨论了ECR对沉积LiPON薄膜的N插入机理.

关键词: 锂磷氧氮薄膜 , r.f. sputtering , electron cyclotron resonance , lithium ionic conductivity

电子回旋共振等离子体辅助溅射沉积锂磷氧氮薄膜

李驰麟 , 傅正文 , 舒兴胜 , 任兆杏

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.01.032

用电子回旋共振(ECR)等离子体辅助射频溅射沉积法制备快锂离子传导的锂磷氧氮(LiPON)薄膜.X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱等手段表征了在不同ECR功率辅助下沉积的薄膜.结果显示,ECR等离子体对磁控溅射沉积薄膜的生长有明显的影响,能够提高N的插入量,改变薄膜的组成与结构.但是过高的ECR功率反而易破坏薄膜的结构,不利于N的插入.最佳的实验条件是在ECR 200W辅助下沉积的LiPON薄膜,它的电导率约为8×10-6S/cm.讨论了ECR对沉积LiPON薄膜的N插入机理.

关键词: 锂磷氧氮薄膜 , 溅射沉积 , 电子回旋共振 , 锂离子传导率

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