张化福
,
袁玉珍
,
臧永丽
,
祁康成
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.01.008
以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜.系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiNx薄膜中的si/N比和H含量影响薄膜的界面特性,而NH3/SiH4流量比则主要通过影响薄膜中的H含量影响薄膜界面特性.实验制备的SiNx薄膜层中的固定电荷密度、可动离子密度、SiNx与p-si之间的界面态密度分别达到了1.7×1012/cm2、1.4×1012/cm2、3.5×1012/(eV·cm2),其界面特性达到了制备高质量p-si TFT栅绝缘层的性能要求.
关键词:
TFT
,
SiN
,
薄膜
,
界面特性
周爱萍
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刘汉法
,
臧永丽
功能材料
采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上沉积铌掺杂氧化锌(NZO)透明导电薄膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)以及透射光谱等测试研究了溅射功率对薄膜结构、形貌以及光电性能的影响.实验结果表明NZO薄膜是多晶膜,具有ZnO的六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向.溅射功率从40W增加到80W时,薄膜的电阻率迅速下降；功率超过80W时,电阻率趋于平稳.在溅射功率为100W时,电阻率具有最小值5.89×10-4Ω·cm,光学带隙具有最大值3.395eV.实验制备的NZO薄膜附着性能良好,在可见光范围内的平均透过率均超过86.6％.
关键词:
ZnO∶Nb薄膜
,
溅射功率
,
透明导电薄膜
,
磁控溅射
周爱萍
,
张化福
,
臧永丽
材料科学与工程学报
利用溶胶-凝胶法制备了掺杂1.5%锰离子的ZnAl2O4晶体,通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）以及荧光光谱仪对样品的结构和光致发光（PL）性能进行测试分析。结果表明,随着烧结温度的升高,晶体的X射线衍射峰逐渐增强,晶体结构得以改善。当受到427nm的激光源激发时,晶体会发射出峰值为512nm的绿光和680nm的红光。绿光是由Mn2＋的4 T1→6 A1跃迁引起的,而红光是源于4价锰离子。在还原气氛下,烧结温度由600℃上升到900℃时,红光发射峰强度降低并继而消失,而绿光发射峰的强度逐渐增强。
关键词:
溶胶-凝胶法
,
ZnAl2O4：Mn晶体
,
光致发光
