孙涛
,
王庆学
,
陈文桥
,
梁晋穗
,
陈兴国
,
胡晓宁
,
李言谨
,
何力
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.007
HgCdTe光伏探测器的钝化介质膜应力常常限制其低温性能,利用高分辨率多重晶X射线衍射仪中的三重晶衍射技术和倒易空间作图对钝化介质膜应力进行了表征,发现在较高溅射能量下沉积的钝化膜,由于应力的作用,HgCdTe晶片出现弯曲,并有大量镶嵌结构,而在较低的溅射能量下和热蒸发下沉积的钝化膜,晶面未出现明显弯曲,可获得较低应力的钝化介质层.
关键词:
HgCdTe
,
应力
,
钝化
,
三重晶X射线衍射
,
倒易空间作图
孙柏蔚
,
胡晓宁
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.02.018
对三种不同工艺的HgCdTe长波器件(标准工艺、回熔处理、离子注入后退火)的Ⅰ-Ⅴ性能分别进行测试,并通过理论计算与实验数据拟合提取上述器件参数,分析暗电流机制及导致暗电流变化的原因.文章中使用的暗电流机制的模型由扩散电流、产生-复合电流、缺陷辅助隧道电流和直接隧道电流组成.从拟合得到的器件参数中可以发现回熔过程中产生了大量的缺陷,导致缺陷辅助隧道电流、产生复合电流显著增加,器件反偏电阻减小,Ⅰ-Ⅴ性能变差.与离子注入后退火器件的性能变化相比,推测导致器件回熔后性能下降的原因是ZnS钝化层受热不稳定.
关键词:
光电子学
,
HgCdTe长波器件
,
回熔
,
暗电流
