周一玲
,
孙魁平
,
胡晓君
,
杨喆
,
李光辉
,
杨洪才
,
吕俊英
,
张玉锁
,
王延庆
,
蒙肇斌
钢铁研究学报
通过不同固溶温度的处理、长期时效的试验,研究了热处理对GH4199合金性能的影响,给出了用于实际生产的热处理参数.
关键词:
固溶温度
,
长期时效
,
GH4199合金
,
拉伸性能
李荣斌
,
杨小倩
,
胡晓君
,
沈荷生
,
李明利
,
赵国华
,
何贤昶
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2003.11.013
采用固体三氧化二硼,用热丝辅助化学气相沉积法在石墨衬底上沉积了掺硼金刚石涂层.用喇曼谱、扫描电镜及电导-温度关系研究了掺硼金刚石涂层的生长气压和掺硼浓度等主要工艺参数对涂层的形貌、结构及电学性能的影响和涂层的循环伏安特性.结果表明,石墨基金刚石涂层电极具有优良的电化学性能.
关键词:
掺硼金刚石涂层
,
石墨
,
电学与电化学性能
李荣斌
,
胡晓君
,
沈荷生
,
何贤昶
功能材料
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,以丙酮为碳源,用二甲基二硫和三氧化二硼作掺杂源,在硅衬底上制备了硼与硫共掺杂的金刚石薄膜.用俄歇谱分析金刚石薄膜中硫的含量,用傅里叶红外光谱(FTIR)分析了薄膜表面键结构,用扫描电子显微镜(SEM)观测薄膜的表面形貌,X射线衍射(XRD)和喇曼(Raman)光谱表征膜层的结构.结果表明:微量硼的加入促进硫在金刚石中的固溶度,使硫在金刚石中的掺杂率提高了近50%;随着薄膜中硫含量的增加,薄膜的导电性增加,当薄膜中硫含量达到0.15%(原子分数)时其导电激活能为0.39eV.
关键词:
共掺杂
,
化学气相沉积
,
金刚石薄膜
杨小倩
,
胡晓君
,
沈荷生
,
张志明
,
李荣斌
,
何贤昶
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2002.01.004
采用固体三氧化二硼,在单晶硅(100)衬底上用微波CVD法生长金刚石薄膜和进行p型掺杂,对不同掺杂碳源浓度下CVD金刚石薄膜的掺杂和生长行为、薄膜表面形貌、薄膜的电性能等进行了研究.结果表明,硼确实已掺入金刚石膜中;在SEM下观察到硼掺杂金刚石膜结构致密没有孔洞;用Ti和Ag分别在掺杂金刚石薄膜表面制备电极,测试了在不同温度下电流随温度的变化.
关键词:
CVD金刚石薄膜
,
掺杂
,
电学性能
安建华
,
胡晓君
,
邝桥青
,
文建华
,
唐基禄
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2007.06.009
碱性溶液所获得的镀锌镀层,采用三价铬溶液钝化.简述了三价铬钝化工艺条件及分析方法,并通过长期的生产实践,摸索出三价铬钝化中切实可行的工艺、维护管理方法及出现的钝化膜发雾、发黄、发花、不连续等故障产生的原因及排除措施.
关键词:
镀锌层
,
三价铬钝化
,
维护管理
,
故障排除
胡晓君
,
李荣斌
,
沈荷生
,
戴永兵
,
何贤昶
无机材料学报
用离子注入方法,在CVD金刚石薄膜中共注入硼离子和磷离子,得到了电阻率较低的n型金刚石薄膜。Hall效应测试表明,800℃退火后,在注入的磷离子剂量相同的情况下,共注入硼的金刚石薄膜的载流子浓度与单一掺磷的相近,但Hall迁移率高,电阻率低。FTIR结果表明B-H结的形成钝化了硼的受主特性,使磷的施主特性没有被补偿,共掺杂薄膜中载流子浓度没有大幅度减少。EPR和Raman测试结果证实了较高温度退火后的共掺杂薄膜的晶格结构比单掺杂薄膜的更完整,从而有利于提高载流子迁移率,降低电阻率。
关键词:
金刚石薄膜
,
co-doping
,
n-type
,
resistivity
何贤昶
,
沈荷生
,
张志明
,
胡晓君
,
杨小倩
,
万永中
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.03.005
用CVD方法在钨丝和碳纤维上沉积金刚石薄膜。约含有10000根纤维的纤维束经特殊
处理后分离为单根。生长条件使碳纤维中心在CVD生长结束后仍保持固态。CVD金刚石在纤
维上生长的平均激活能为93.15kJ/mol。SEM照片给出了纤维涂层在不同生长条件下的表面和
中心的形貌。纤维内部的石墨碳和外部的金刚石层有很大的不同。钨丝的断裂强度和杨氏模量
的测量表明，具有金刚石涂层的钨丝的断裂强度为0.567GPa，非常接近不具有金刚石涂层的钨
丝的断裂强度。但具有金刚石涂层的钨丝的断裂应变为4.8％，比没有金刚石涂层的钨丝的断
裂应变7％要小得多。这表明了金刚石涂层可以减少钨丝的断裂应力，提高其机械性能。
关键词:
CVD金刚石
,
涂层
,
丝
,
纤维
胡晓君
,
李荣斌
,
沈荷生
,
戴永兵
,
何贤昶
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.031
用离子注入方法,在CVD金刚石薄膜中共注入硼离子和磷离子,得到了电阻率较低的n型金刚石薄膜.Hall效应测试表明,800℃退火后,在注入的磷离子剂量相同的情况下,共注入硼的金刚石薄膜的载流子浓度与单一掺磷的相近,但Hall迁移率高,电阻率低.FTIR结果表明B-H结的形成钝化了硼的受主特性,使磷的施主特性没有被补偿,共掺杂薄膜中载流子浓度没有大幅度减少.EPR和Raman测试结果证实了较高温度退火后的共掺杂薄膜的晶格结构比单掺杂薄膜的更完整,从而有利于提高载流子迁移率,降低电阻率.
关键词:
金刚石薄膜
,
共掺杂
,
n型
,
电阻率
