蔡淑珍
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秦向东
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高平
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李哲
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罗小平
,
胡志鹏
,
付三玲
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韦志仁
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.043
采用ZnCl2·2H2O在常压下高温水解反应生长ZnO晶体,反应温度为500℃.当以SiC为衬底时,可以获得六棱柱形氧化锌晶体,直径约为10μm,长为30～100 μm.当衬底为蓝宝石时,氧化锌沿[0001]呈定向柱状生长,柱的直径为5～10 μm,柱之间具有较多的内部缺陷.当以ZnO为衬底时,在{0001}面,形成连续膜,表面扫描电镜分析表明,晶体具有明显的极性生长特征,[0001]方向呈螺旋柱状生长.在{0001}面,晶体的平整性较好,呈现台阶性生长.
关键词:
氧化锌
,
化学水解反应
,
衬底
韦志仁
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李哲
,
胡志鹏
,
罗小平
,
高平
,
王伟伟
,
董国义
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.009
本文采用水热法,在ZnO中添加In2O3为前驱物,3mol/L KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35%,反应24h,制备了掺In的ZnO晶体.未掺杂In2O3合成的纯ZnO晶体呈六棱锥状,显露负极面-c{0001}、六棱锥面+p{1011}和-p{1011},一般不显露{0001}面.前驱物中掺杂In2O3所合成的ZnO晶体呈六角片状,直径约为5～20 μm,大面积显露{0001}面,另外还显露正锥面+p{1011}、负锥面-p{1011}和负极面-c{0001}.由此可见In掺杂可以明显的改变晶体的形态,使c轴极性快速生长趋向得到明显改善,有利于降低晶体生长缺陷.当采用ZnO晶片为籽晶时,通过水热反应在晶片上生长了一层掺In的ZnO薄膜,通过Hall参数测量得到晶体膜层的电子迁移率约为22cm2/(V·s),载流子浓度约为2×1020 cm-3,具有良好的导电性,同时也说明In可以微量掺入氧化锌晶体.
关键词:
氧化锌
,
水热法
,
晶体
,
三氧化二铟
董国义
,
田帅
,
姚金宝
,
李哲
,
胡志鹏
,
韦志仁
人工晶体学报
本文采用水热法合成了纯立方铁锰矿相In2O3晶体.以3M KOH为矿化剂,填充度35%,压力40 MPa,温度430 ℃,反应24 h,加入适量的In2O3立方铁锰矿相和金刚砂相混晶原料,经过水热反应,In2O3原料经过二次结晶全部转化成纯立方铁锰矿相,其中的金刚砂相消失,并长成几十微米多面体晶体.改用In(OH)3作前驱物,在同样的水热条件下,生成纯立方铁锰矿相,晶体成立方形,显露{002}、{020}、{200}晶面.
关键词:
三氧化二铟
,
晶体
,
水热合成
胡志鹏
,
罗小平
,
田帅
,
韦志仁
人工晶体学报
本文采用水热法,以ZnO为前驱物,添加适量的MnCl2·4H2O、SnCl2·2H2O和MnCl2·4H2O、CoCl2·6H2O、CuCl2·2H2O,3 mol/L KOH作矿化剂,430℃反应24 h,分别合成了Zn1-xMnxO:Sn晶体和Zn1-x-yMnxCoyO:Cu晶体.用扫描电镜(SEM)对合成物形貌进行分析,结果表明,Zn1-MnxO:Sn晶体为六棱柱状晶体,直径约为10 μm,较大面积显露正极面c{0001},同时也显露负极面-c{0001}、正锥面p{1011}、负锥面-p{1011}和柱面m{1010}.Zn1-x-yMnxCoyO:Cu晶体也显露负极面-c{0001}、正锥面p{1011}、负锥面-p{1011}和柱面m{1010},{0001}显露面小于{0001}.X射线能谱(EDS)分析表明晶体主要成分为ZnO,Mn2+、Co2+离子掺杂量超过2%;SQUID磁性测量显示所合成晶体在25 K具有反铁磁特征,高温为顺磁性.
关键词:
ZnO
,
水热法
,
晶体形貌
,
共掺杂
,
磁性
卢险峰
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胡志鹏
,
李湖峰
,
戴源德
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.06.018
为提高普通冲裁件断面中剪切面高度,在总结现有各种冲压分离工艺方法的基础上,提出了一种新的厚板冲裁构想,其模具结构设计为:阶梯型冲头或阶梯形凹模,且为双重正间隙.制作了原理性试验模,用材料厚度为4 mm和6 mm的纯铝板和黄铜板,分别在两台压力机上进行了冲裁试验,并与普通冲裁作比较验证.获得了冲裁件断面之剪切面高度由普通冲裁为料厚的1/3以下,提高到1/2以上的效果.并评价了该工艺及模具在生产实际中的可行性与经济性.
关键词:
冲裁
,
阶梯形冲头
,
阶梯形凹模
,
双重正间隙
,
剪切面高度
