胡州
,
张铭
,
郑木鹏
,
邓浩亮
,
仲麒
,
朱满康
,
严辉
人工晶体学报
采用常规陶瓷制备工艺制备了xLaySr(1-y)MnO3+(1-x) [0.2PbZn0.5Yb0.5O3-0.8Pb0.33Zr0.67TiO3](x=0.025、0.05、0.075、0.1、0.15、0.2,y=0.7、0.9)三元体系陶瓷,系统研究了不同成分LSMO掺杂对FZN-PZT磁学及电学性能影响.结果表明,掺入不同比例的LSMO均溶解入PZN-FZT晶格,导致PZN-PZT峰位偏移；随着LSMO掺杂量的提高,陶瓷的矫顽场E及剩余极化强度Pr降低；原本分别呈现铁磁性和反铁磁性的LyS(1-y) MO3(y=0.7、0.9)磁性消失；随着LMSO掺杂量的提高,晶粒尺寸变大.
关键词:
PZN-PZT陶瓷
,
复合材料
,
磁电效应
李廷先
,
张铭
,
胡州
,
李扩社
,
于敦波
,
严辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00291
使用脉冲激光沉积技术, 在(001)取向的LaAlO3(LAO)单晶基片上外延生长了BaTiO3/La2/3Sr1/3MnO3 (BTO/LSMO)双层复合薄膜. 电学和磁学性能的研究显示复合薄膜具有较低的相对介电常数(εr=263), 优良的铁电和铁磁性能以及高于室温的铁磁居里温度(Tc=317 K). 复合薄膜的磁电电压系数(αE)为176 mV/A, 高于同类结构磁电系统一个数量级, 相应的界面耦合系数k值为0.68, 表明铁磁层和铁电层界面之间存在较大程度的耦合.
关键词:
磁电效应
,
ferroelectric/ferromagnetic bilayer heterostructure
,
pulsed laser deposition
,
interface coupling parameter
谢群锋
,
张铭
,
胡州
,
邓浩亮
,
仲麒
,
严辉
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.16.018
采用传统固相反应法成功制备了Bi0.Ho0.1 Fe0.95 Cr0.05 O3 (BHFCO)陶瓷.X射线衍射物相分析(XRD)表明,制备的BHFCO为纯相,具有菱方钙钛矿结构,属于R3c空间点群,晶格参数较块体BFO有所减小.介电常数与温度的关系曲线及差示扫描量热分析表明,BHFCO陶瓷具有明显介电弛豫特性,并在315℃附近存在反铁磁-顺磁相变.铁电测试表明BHFCO陶瓷具有饱和的室温电滞回线,剩余极化值为20.25μC/cm2.X射线光电子能谱分析(XPS)表明BHFCO陶瓷中Fe元素仅以Fe3+形式存在.磁性测试表明BHFCO陶瓷具有饱和的室温磁滞回线,饱和磁化场强为2.290A·m2/kg,剩余磁化强度为0.476A·m2/kg.
关键词:
铁酸铋(BiFeO3)
,
Ho、Cr共掺
,
介电
,
铁电
,
铁磁
李喜露
,
张铭
,
谢群峰
,
胡州
,
李廷先
,
严辉
低温物理学报
采用固相反应法制备La5/8（PrxCa1-x）3/8MnO3（x=0.25,0.5,0.75）多晶样品,研究其磁性质和电磁输运特性.X射线衍射表明,La5/8（PrxCa1-x）3/8MnO3（x=0.25,0.5,0.75）多晶样品室温的晶体结构呈Pnma空间群的正交结构.磁化强度-电阻（M～T）关系显示,La5/8（PrxCa1-x）3/8MnO3（x=0.25,0.5,0.75）的居里温度TC随Pr掺杂量增加而逐渐降低,三种样品分别为160K、150K、100K.此外,随着Pr3＋掺杂量增加,样品晶格畸变程度增大,铁磁相互作用减弱,并且三种成分均形成自旋玻璃态,其自旋冻结温度分别为150K、75K、70K.电阻-温度（ρ～T）关系表明,样品在x=0.25时出现电阻的双峰现象,这是由于样品中铁磁相与反铁磁相相互竞争造成的.结果表明,通过对钙钛矿锰氧化物的A位稀土掺杂,可对其CMR效应进行有效调控.
关键词:
钙钛矿锰氧化物
,
相分离
,
轨道/电荷有序
李廷先
,
张铭
,
胡州
,
李扩社
,
于敦波
,
严辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00291
使用脉冲激光沉积技术,在(001)取向的LaAlO3(LAO)单晶基片上外延生长了BaTiO3/La2/3Sr1/3MnO3(BTO/LSMO)双层复合薄膜.电学和磁学性能的研究显示复合薄膜具有较低的相对介电常数(εr=263),优良的铁电和铁磁性能以及高于室温的铁磁居里温度(Tc=317 K).复合薄膜的磁电电压系数(αE)为176 mV/A,高于同类结构磁电系统一个数量级,相应的界面耦合系数k值为0.68,表明铁磁层和铁电层界面之间存在较大程度的耦合.
关键词:
磁电效应
,
铁电/铁磁复合薄膜
,
脉冲激光沉积
,
界面耦合系数
