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Ce:YIG磁光薄膜电子结构的计算

胡华安 , 王坚红 , 段志云 , 何华辉

功能材料

采用DV-Xα方法计算了YIG、Bi-YIG及Ce-YIG磁光薄膜的电子结构,在能态密度的基础上,得出了导致磁光效应的两种电荷转移跃迁.对Ce3+的掺入,极大地增大了跃迁的振子强度;Ce5d、Ce4f与Fe3d形成具有较大自旋一轨道相互作用的耦合轨道;Ce3+的掺入产生了新的跃迁,它们是Ce-YIG的磁光效应增大的原因.

关键词: DV-Xα方法 , YIG磁光薄膜 , 磁光效应