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复合物p-C6H4F2…NH3(ND3)外部振动的共振双光子电离光谱

胡义华 , 刘美希 , 周金运 , 王小涓 , 陈丽 , 杨新 , 杨世和

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.02.011

利用共振光电离技术和飞行时间质谱技术,观察到了复合物p-C6H4F2…NH3(ND3)的共振双光子电离光谱。光谱分析表明,复合物分子间的伸缩振动频率为86.4~cm-1; 由复合物的光解离机理以及伸缩模的失谐参数与键能的关系,获得了复合物电子激发态S1和基态S0的键能信息。Ab initio 计算表明,p-C6H4F2…NH3(ND3) 复合物的几何结构是:NH3分子中的N原子位于垂直于p-C6H4F2分子环面的对称轴(Z轴)上,距环面的高度为0.352~nm; NH3的C3轴与p-C6H4F2的对称轴夹角是52.5°,且一个氢原子朝向环面;NH3可绕p-C6H4F2分子的Z轴近似的自由转动。键能计算值和预计存在的内转动与实验吻合。

关键词: 共振多光子电离光谱 , 分子间的振动 , 范德瓦尔斯键能

Ba2+替代对Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+结构和发光性能的影响

谢伟 , 王银海 , 胡义华 , 吴浩怡 , 邓柳咏

稀有金属材料与工程

采用高温固相反应按化学式Sr4-xBaxAl14O25:Eu2+,Dy3+(x=0,0.8,1.6,2.4,3.2,4)配比原料,合成长余辉发光材料.X射线衍射分析表明,当x=0.8时,产物物相为单斜结构SrAl2O+和磁铅矿结构SrAl12O19共存;当x>1.6时,产物主相转变为BaAl2O+六角结构.对所得样品采用360nm光照,发射光谱表明,样品发光是以Eu2+为发光中心,由Eu2+电子4f65d-4f7跃迁所致,并且随着Ba掺入量的增加,样品发射光谱峰位产生移动,这是由于Sr2+取代产物中Ba2+位置后,导致晶格收缩,影响Eu2+的5d能级劈裂,从而影响电子4f65d-4f7跃迁.余辉光谱显示x>1.6时,产物的余辉发光是以BaAl2O+基质中Eu2+为发光中心.余辉衰减检测和热释光谱分析发现不同掺Ba量的样品余辉衰减快慢不同,是由于其中存在的陷阱能级深度不同,且陷阱能级越深,其余辉时间越长.

关键词: 长余辉 , Sr4Al14O25 , 稀土掺杂 , 陷阱

不同结构稀土掺杂铝酸锶的合成与发光性能研究

柳成 , 王银海 , 胡义华 , 陈仁 , 廖峰

功能材料

采用燃烧法成功合成了稀土掺杂铝酸锶长余辉发光材料.XRD结果表明,当铝锶n(Al)∶n(Sr)=2时,发光基质中只存在SrAl2O4相结构.随着Al∶Sr比值的增大,出现新相Sr4Al14O25.当Al∶Sr比值增大到4时, SrAl12O19相开始形成.而Al∶Sr比值增大到12时,全部为SrAl12O19相.光致发光测量结果表明,发光样品SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+发射谱峰值位于519nm,而发光样品SrAl12O19∶Eu2+,Dy3+的发射峰位于512nm.余辉检测结果表明,不同结构铝酸锶发光样品的衰减都是由初始的快衰减过程和其后的慢衰减过程组成,但是不同结构铝酸锶发光样品的初始亮度和发光衰减快慢不同.

关键词: 燃烧法 , 长余辉 , 铝酸锶 , 稀土掺杂

长余辉材料Ba4(Si3O8)2:Eu2+,Nd3+的发光与长余辉特性

杨中服 , 胡义华 , 陈丽 , 王小涓

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.12.013

使用高温固相法合成了长余辉发光材料Ba3.88-x(Si3O8)2∶0.12Eu2+,xNd3+。实验分别获得了样品的晶体结构、激发与发射谱、余辉衰减、热释光等信息。样品呈现 Eu2+的宽带发射,发射峰位在495 nm,Nd3+的共掺没有引入新的发光中心;Nd3+共掺对材料的荧光强度和余辉强度都有明显的提高,并延长了余辉时间,Nd3+共掺的最优比例为 x=0.04,此条件下材料的肉眼可视的余辉时间从 Eu2+单掺的约20 min延长至1 h;通过对样品的不同等待时间的热释光分析,发现热释光峰位随时间向高温方向移动,过程中半高宽基本不变,对称因子μg 维持在0.52左右,对应的陷阱深度为0.89 eV,陷阱释放载流子的过程可视为二阶动力学过程。

关键词: 长余辉 , Ba4(Si3O8)2 , Nd3+ , 二阶动力学

亚稳态He(23S)原子与N2H4分子传能产物的发光研究

胡义华 , 刘美希 , 陈丽 , 王小涓 , 储焰南 , 曹德兆

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.04.008

本文在流动余辉装置上,研究了亚稳态He(23S)原子与N2H4分子碰撞传能,观察到了激发态产物NH(A3II→X3∑+)、NH(c1II→a1△)、NH2(A2A1→X2B1)的发射光谱,由相对光谱强度求得了形成各产物的通道比;分析NH(A3II,v'=0)的转动分辨谱的结果表明,v'=0能级上的转动布居是"双模”分布,激发态产物NH(A)、NH2(A)的形成机理可能是: He(23S)+N2H4→N2H4*→NH(A)+NH2(A)+H.

关键词: 碰撞传能 , 化学发光 , NH(A3Ⅱ)的发射光谱

InGaAs-APD门模单光子探测及其应用

周金运 , 彭孝东 , 林清华 , 胡义华 , 廖常俊 , 刘颂豪

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.04.001

对单光子探测使用InGaAs-APD并采用门模控制的核心问题进行了阐述,总结了探测器件的特性和门模控制系统的特点,并归纳了在这种探测方式中实际存在的问题和可能解决的方法,最后着重介绍它在量子保密通信中的应用.

关键词: 光电子学 , InGaAs-APD , 单光子 , 门模 , 雪崩抑制 , 量子保密通信

复合物Mg+-S2(CH3)2光解离光谱

武华 , 胡义华 , 林家勇 , 陈仁 , 陈丽

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.06.010

在230~440 nm波段,研究了复合物Mg+-S2(CH3)2的光解离光谱.此波段内的复合物光诱导产物的质谱揭示,存在着非反应猝灭产物Mg+和反应产物Mg+-SCH3.反应产物来源于Mg+离子插入S-S化学键,导致复合物解离的过程.复合物的光解离光谱由三个对应于离子Mg+(32P←32S)跃迁的谱峰构成.由量化计算中的CIS方法所获得的吸收谱理论值与实验吻合地较好.

关键词: 光谱 , 金属离子-分子复合物 , 激光光解离 , 飞行时间质谱

SrAl2O4:Eu2+和SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉和热释光谱

邓柳咏 , 胡义华 , 王银海 , 吴浩怡 , 谢伟

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.03.001

采用高温固相法在弱还原气氛中, 1300℃合成了掺杂Eu2+和Dy3+离子的SrAl2O4.对比研究了SrAl2O4:Eu2+和SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的余辉特性和热释光谱.并探讨了Dy3+的掺杂对SrAl2O4:Eu2+陷阱能级的影响.XRD分析表明: Eu2+和Dy3+的掺杂没有改变SrAl2O4的晶相.光致发光分析表明:Dy3+的掺杂没有改变SrAl2O4:Eu2+的光致发光光谱和发光中心.热释光谱对比分析结果显示: Eu2+的掺杂在SrAl2O4的禁带中引入了两个深度不同的陷阱能级;Dy3+的掺杂不改变原来陷阱能级的深度,却能够显著地增加原来浅陷阱能级的密度,从而改善SrAl2O4:Eu2+的余辉特性.不同等待时间的热释光谱曲线显示:在室温下,不同陷阱能级衰减规律的差异以及陷阱能级间存在的电子转移,可能造成了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉材料复杂的余辉衰减规律.

关键词: 材料 , 陷阱能级 , 铝酸锶 , 长余辉 , 热释光

钬掺杂对SrAl2O4:Eu2+,Dy3+发光性能的影响

陈仁 , 王银海 , 胡义华

功能材料

首次研究了Ho3+掺杂对SrAl2O4:Eu2+,Dy3+发光性能的影响.采用燃烧合成方法,在600℃条件下,合成Ho3+掺杂的SrAl2O4:Eu2+,Dy3+新型长余辉光致发光材料.X射线衍射分析结果表明,合成的样品为单相SrAl2O4单斜晶系磷石英结构.光致发光光谱测量显示,合成样品的发射光谱是连续宽带谱,峰值位于510nm左右,激发光谱是单峰且峰值位于356nm的连续宽带谱.利用单光子计数系统测量了材料的余辉衰减曲线,结果显示Ho3+的适量掺杂可以明显提高铝酸锶的初始发光亮度.当Ho3+的掺入摩尔比例为0.005时,初始亮度是不掺杂Ho3+时的两倍多.对初始亮度增强的机理做了初步的探讨.

关键词: 燃烧法 , 长余辉 , SrAl2O4:Eu2+ , Dy3+ , 钬掺杂

二维Cu-O面中的铁磁极化子

刘美希 , 胡连 , 胡义华

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.04.017

本文讨论二维Cu-O面中holon引起铁磁极化子的强关联系统的自由能.根据自由能极小时系统稳定的特性,求得铁磁极化子在低温(κBT

关键词: 二维Cu-O面 , 铁磁极化子 , 自由能

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