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赵彦民 , 肖温 , 李微 , 杨立 , 乔在祥 , 陈贵锋
人工晶体学报
分别在Al∶ ZnO(ZAO)薄膜和Mo薄膜两种不同衬底材料上,采用“三步法”共蒸发工艺沉积了约0.8 μm厚的CuGaSe2(CGS)薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究不同衬底材料对CGS薄膜的影响.在ZAO薄膜底电极上沉积的CGS薄膜的(112)衍射峰强度较Mo薄膜底电极上减弱,(220/204)衍射峰反而增强.
关键词: 宽带隙 , 铜镓硒 , 共蒸发 , 衬底
