张小桃
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谢建军
,
夏长泰
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张晓欣
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肖海林
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赛青林
,
户慧玲
人工晶体学报
作为垂直结构的GaN基LED新型衬底材料,β-Ga2 O3单晶已经引起了人们的广泛关注.β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4掺入是其中一种很好提高-Ga2O3导电性的方法.利用光学浮区法生长了尺寸为5×20 mm2,掺杂浓度为10％的掺锡氧化镓单晶(Sn∶ β-Ga2O3),并对Sn∶ β-Ga2O3单晶的缺陷密度、导电和荧光光谱特性进行了研究.结果表明:实验制得Sn∶β-Ga2O3样品的线缺陷约为6.51×105/cm2,掺入Sn4+杂质后β-Ga2 O3的电导率增加,样品的最高电导率为2.210 S/cm,同时Sn4+的掺入会抑制β-Ga2O3的红绿光发射.
关键词:
Sn∶β-Ga2O3
,
浮区法
,
电导率
,
荧光光谱
张宏哲
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王林军
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夏长泰
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赛青林
,
肖海林
人工晶体学报
本论文综述了宽禁带半导体β-Ga2O3材料的研究进展,包括晶体结构,生长方法,掺杂离子,光学性质和电学性质.β-Ga2O3可以作为GaN基LEDs的潜在衬底,同时它也在MOSFET和紫外光探测器方面有着重要的应用前景.
关键词:
β-Ga2O3
,
晶体生长
,
LED
,
MOSFET
,
紫外光探测器
肖海林
,
邵刚勤
,
赛青林
,
夏长泰
,
周圣明
,
易学专
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160135
通过光学浮区法生长了不同浓度的β-(Al,Ga)2O3混晶.当Al3+掺杂浓度达到0.26的时候,晶体生长出现开裂现象.进行X射线衍射分析,结果表明所得β-(Al,Ga)2O3混晶保持了β-Ga2O3的晶体结构,晶体没有出现其他杂质相,并且随着Al3+浓度的增加,晶格常数a、b、c减小,β角增大;核磁共振光谱显示Al的确进入了Ga的格位并且取代了Ga的四配位和六配位格位,两者的比例约为1∶3.通过测试β-(Al,Ga)2O3混晶的透过光谱,得出β-(Al,Ga)2O3混晶的禁带调节范围为4.72～5.32 eV,扩大了β-Ga2O3晶体在更短波段的光电子探测器方面的应用.
关键词:
β-Ga2O3
,
Al3+
,
禁带宽度
,
半导体
