宗福建
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马洪磊
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薛成山
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杜伟
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张锡建
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马瑾
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计峰
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肖洪地
稀有金属材料与工程
将Zn粉末置于流量为500ml/min的NH3气流中,在600℃氮化120 min,制备出高质量的Zn3N2粉末.X射线衍射(XRD)表明Zn3N2粉末具有立方结构,其晶格常数为0.9788 nm.扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察发现Zn3N2粉末晶粒形状具有多样性.X射线光电子谱(XPS)表明Zn3N2的化学键状态与ZnO及金属Zn明显不同,表明N-Zn键的形成.用计算机模拟了Zn3N2晶体的立体结构,用高分辨电子显微镜(HRTEM)观察了Zn3N2粉末的内部结构,观察结果与Partin等提出的Zn3N2结构模型相符合.
关键词:
氮化法
,
Zn3N2
,
结构
,
化学键状态
宗福建
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马洪磊
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薛成山
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庄惠照
,
张锡建
,
马瑾
,
计峰
,
肖洪地
,
王书运
功能材料
将Zn粉末置于流量为500mL/min的NH3气流中,在600℃氮化温度下氮化120min的条件下,制备出高质量的Zn3N2粉末.用X射线衍射(XRD)测量了Zn3N2粉末的结构,Zn3N2粉末是具有立方结构的晶体,其晶格常数a为0.9788nm.用扫描电子显微镜(SEM)观察了Zn3N2粉末的表面形貌,发现Zn3N2粉末具有非常丰富的晶粒表面形貌.用透射电子显微镜(TEM)验证了晶粒形状的多样性.用高分辨电子显微镜(HRTEM)观察了Zn3N2粉末的内部结构.用波长为325nm的He-Cd激光器为激发光源,测量了Zn3N2粉末的光致发光谱,观察到在385nm处有强的光致发光峰.
关键词:
氮化法
,
Zn3N2
,
结构
,
光致发光
张锡健
,
马洪磊
,
王卿璞
,
马瑾
,
宗福建
,
肖洪地
,
计峰
,
王翠英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.003
用射频磁控溅射法在不同衬底上制备出了 MgxZn1- xO薄膜. X射线衍射 (XRD)和原子力显 微镜( AFM)研究结果表明,薄膜为六角纤锌矿结构,具有( 002)方向择优取向;随氧分压增加,( 002) 衍射峰的角度变大,表征薄膜表面粗糙程度的方均根粗糙度减小.室温光致发光谱中有多个紫外 及可见光致发光峰,其中 344nm发光峰应来源于近带边发射.室温透射谱表明薄膜在可见光区具 有极高的透过率,薄膜的吸收边位于 340nm附近,进而估算出 MgxZn1- xO薄膜的带隙宽度为 3.59eV, 与光致发光结果一致.
关键词:
MgxZn1- xO薄膜
,
射频磁控溅射
,
光致发光
肖洪地
,
马洪磊
,
薛成山
,
马瑾
,
宗福建
,
张希键
,
计峰
,
胡文容
功能材料
在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状为棒状.
关键词:
Ga2O3粉末
,
GaN粉末
,
氮化温度
肖洪地
,
马洪磊
,
薛成山
,
胡文容
,
马瑾
,
宗福建
,
张锡健
稀有金属材料与工程
在950℃的氮化温度下,通过单氢氧化镓(GaO2H)粉末与流动的NH3反应35 min制备出粒状GaN微晶.通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究发现,GaN粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,其晶格常数a和c分别为0.3191 nm和0.5192 nm.X射线光电子能谱(XPS)揭示试样中有Ga-N键形成,Ga与N两元素比为1∶1.
关键词:
GaO2H粉末
,
粒状GaN微晶
,
氮化温度
张锡健
,
马洪磊
,
王卿璞
,
马瑾
,
宗福建
,
肖洪地
,
计峰
功能材料
采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg0.16Zn0.84O薄膜.用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg0.16Zn0 84O薄膜的结构、表面形貌.结果表明,Mg0.16Zn0.84O薄膜是六角纤锌矿结构,具有沿与衬底垂直的C轴的择优取向;随着样品退火温度的升高,(002)衍射峰强度明显增强,衍射峰半高宽(FWHM)由0.86°单调地降低到0.40°,晶粒大小明显增大,最大的高达400nm以上.用TV1900型双光束紫外可见分光光度计测量了淀积在蓝宝石衬底上的Mg0.16Zn0.84O薄膜室温的透射谱,得到可见光区的平均透过率约为95%,进而估算出Mg0.16Zn0.84O薄膜的带隙宽度约为3.58eV.
关键词:
MgZn1-xO薄膜
,
AFM
,
XRD
,
退火
马洪磊
,
杨莺歌
,
薛成山
,
马瑾
,
肖洪地
,
刘建强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.001
提出一种通过对溅射Ga2O3薄膜后氮化技术制备GaN纳米结构的方法,已成功地制备出 GaN 纳米线、纳米棒和纳米带.该方法既不需要催化剂,也不需要模板限制,不仅避免了杂质污染,而且简化了纳米结构的制造工艺,对于纳米结构的应用非常有利.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAD)研究了 GaN 纳米结构的形貌和晶格结构.结果表明 GaN 纳米结构是具有六角纤锌矿结构的 GaN 晶体,不存在 Ga2O3 或 Ga 的其他相.研究结果证明在高温氮化过程中由于晶格缺陷的降低和晶化的改进能够得到高质量的 GaN 晶体.简要地讨论了GaN 纳米结构的生长机制.
关键词:
GaN
,
纳米结构
,
制备
,
后氮化技术
肖洪地
,
王成建
,
王矜奉
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2003.05.009
利用固相反应法即传统陶瓷工艺,制成了Ba1-xSrxPbO3系导电陶瓷.用四探针法测量了此种导电陶瓷的电阻率ρr,研究了ρr与Sr含量x和温度T的关系,通过红外光谱分析研究了此种样品.晶格中出现的氧缺位使得晶格结构发生畸变,Sr-O键出现强烈振动,同时产生了红外吸收谱.在氧缺位中存在弱束缚的导电电子.
关键词:
导电陶瓷
,
电阻率
,
氧缺位
,
导电电子
肖洪地
,
王成建
,
马洪磊
功能材料
用稀土元素改性的SrTiO3陶瓷采用传统的陶瓷工艺来制备.本文研究了SrTiO3基陶瓷,(1+x)SrTiO3+x(Ln@4TiO2)陶瓷的介电性质,并且报道了稀土元素Ln(Ln=La2O3、Nd2O3、Y2O3或CeO2)对SrTiO3基陶瓷的ετ和tgδ的温度特性和频率特性的影响.
关键词:
介电性质
,
介电温度特性
,
介电频率特性
,
导电机制
肖洪地
,
王成建
,
王矜奉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.020
超声压电陶瓷换能器可以探测5000m以下深处的地质结构和油井固实程度.用于压电陶瓷换能器的PT-PSN陶瓷性能参数是,Tc=380oC,kt=45%,εr=420,tanδ=1.5%,Qm=2200,Ec=733V/mm.经实验测量和现场试验表明,在温度高达200oC时压电陶瓷换能器的性能稳定,测量精度高.
关键词:
超声探测方法
,
压电陶瓷换能器
,
PT-PSN陶瓷
