孙梦龙
,
王红波
,
聂祥龙
,
马大衍
,
马飞
,
徐可为
稀有金属材料与工程
采用热还原法和原子层沉积技术制备了ZnO-TiO2核壳纳米线,研究沉积厚度、沉积温度及退火对于ZnO-TiO2核壳纳米线晶化和结构的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率透射电镜(HRTEM)等手段对退火前后核壳纳米线进行表征.结果表明:沉积厚度和温度的增加有利于TiO2壳层发生非晶向晶化的转变;500℃退火提高了TiO2的结晶性,但可能会使细核壳纳米线(ZnO纳米线直径＜80 nm)产生波浪形变形,使150℃沉积的非晶TiO2壳层形成凸出晶粒,并导致其界面处ZnO缺失.
关键词:
ZnO
,
TiO2
,
核壳纳米线
,
退火
,
晶化
聂祥龙
,
马大衍
,
徐可为
稀有金属材料与工程
采用原子层沉积(ALD)的方法,选择四二乙基氨基铪(TDEAH)和水作为反应前驱体,在p型(100)单晶硅衬底上制备了HfO2高介电质薄膜.系统研究了前驱体流量、反应气压、反应温度等工艺参数对HfO2薄膜生长质量的影响.通过工艺调控,发现存在两种薄膜生长模式:类CVD(化学气相沉积)生长模式和ALD生长模式.发现薄膜的生长模式主要依赖于制各工艺参量:脉冲参量M和冲洗参量Q,通过优化工艺参数,可实现薄膜生长由类CVD生长模式向ALD生长模式的转变,并获得了0.1 nm/周次的最优薄膜生长速率.同时,薄膜微结构与表面形貌的表征结果表明:薄膜的非晶晶态转变受温度和膜厚两个因素共同控制.
关键词:
高介电质薄膜
,
HfO2
,
原子层沉积
,
生长行为
