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PPV类电致发光聚合物的合成及分子设计研究

凌味未 , 唐先忠 , 李元勋 , 聂海

材料导报

PPV类电致发光聚合物以其优良的光电性能在微电子及显示领域中得到了广泛的应用,是当今材料科学研究的热点之一.综述了PPV类聚合物的主要合成方法,并对此类材料进行了分子结构设计,同时简要地介绍了相关器件的性能.

关键词: PPV , 电致发光 , 合成 , 应用

PZT/ZnO薄膜制备及其结构特性研究

陈祝 , 聂海 , 杨成韬 , 杨邦朝

功能材料

利用固相反应制备的ZnO-Li_(2.2%)陶瓷靶和RF射频磁控溅射技术在Si(100)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,XRD和电性能分析表明掺杂Li离子改善了ZnO靶材的结构和性能,同时研究了不同RF溅射温度对ZnO薄膜结构与取向的影响;然后采用sol-gel前驱单体薄膜制备方法,以ZnO为过渡层淀积PZT薄膜,探讨高度c轴(002)择优取向ZnO薄膜对PZT薄膜结构与性能的影响,实验发现在PZT/ZnO异质结构中,致密、均匀和高度c轴择优取向的ZnO可作为晶核,促进PZT钙钛矿结构转化、晶粒(110)择优取向生长,相应降低PZT薄膜的退火温度.

关键词: 氧化锌薄膜 , 射频磁控溅射 , 择优取向 , PZT薄膜

助熔剂BBSZ对M型钡铁氧体的低温共烧改性研究

聂海 , 张怀武 , 李元勋 , 凌味未

材料研究学报

研究了助熔剂BBSZ对M型钡铁氧体的低温共烧改性.结果表明,添加适量的BBSZ助烧剂可以使钡铁氧体材料在900℃完成烧结,所得样品具有较好的致密化结构.当BBSZ的掺入量为2%时(质量分数),材料的磁特性较好,完全实现了M型钡铁氧体的低温烧结,磁性参数值有一定改善.

关键词: 无机非金属材料 , 低温共烧陶瓷 , M型钡铁氧体 , 助熔剂

M型钡铁氧体掺杂Co-Ti改性研究

聂海 , 张怀武 , 李元勋 , 凌味未

材料研究学报

通过Co-Ti掺杂手段对M型钡铁氧体的磁电性能进行了改性,确定了较佳的掺杂量及配方工艺.在制备Co-Ti取代的BaM铁氧体时,采用取代量为1.0的BaM的铁氧体材料,起始磁导率从1.5提高至15,矫顽力Hc达到最小,而且介电常数随着频率的升高而减小.可用于制作高频片式电感.Co-Ti的引入,使材料的烧结温度降至1000℃.

关键词: 非金属材料 , M型钡铁氧体 , 溶胶-凝胶法 , 掺杂

低温烧结铁氧体/陶瓷复合材料的电磁性能研究

聂海 , 凌味未 , 张怀武

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.14.009

采用MgCuZn铁氧体(MCZF)分别与少量CaTiO3(CT)和BaTiO3 (BT)复合,以Bi2O3为助熔剂,通过标准陶瓷工艺在900和950℃烧结得到适合低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的两类复合材料MCZF/CT和MCZF/BT.对比研究铁氧体与两类复合材料的磁性能和介电性能发现,与陶瓷复合后材料的截止频率可以从13.9MHz提高到136.5MHz,而1MHz处的介电损耗可以从0.741降低到0.012.对比研究不同烧结温度下复合材料的电磁性能发现,950℃烧结的样品比900℃烧结时有更高的起始磁导率、Snoek产量、介电常数及更低的介电损耗,其中MCZF/CT的起始磁导率达到51.8,明显高于MCZF/BT,但后者有更优良的介电频率特性.此外,结合微结构分析讨论了950℃烧结样品的电磁性能变化原因.

关键词: 铁氧体/陶瓷复合材料 , LTCC , 磁性能 , 介电性能

含TPD结构单元电荷传输聚合物的合成及其在EL器件中的应用

聂海 , 唐先忠 , 李元勋

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2004.04.020

以18-冠-6为相转移催化剂,以邻二氯苯为溶剂,由N,N′-二苯基联苯二胺与对卤烷基苯进行Ullmann反应制得单体N,N′-二(4-烷基苯)-N,N′-二苯基联苯二胺(烷基-TPD),以氯苯为溶剂SnCl4或AlCl3作催化剂通过Friedel-Crafts反应和1,4-双卤甲基苯(BCB),9,10-双卤甲基蒽(BCA)进行缩聚反应,在N2气保护下40~80 ℃反应1~12 h,将TPD结构单元引入到聚合物的主链,得到一系列具有电荷传输性能的新型电致发光聚合物. 聚合物收率最高为96%,分子量最大为2.9×105,Tg均高于TPD(最高为248 ℃). 其电致发光波长较TPD红移60 nm.

关键词: 聚TPD , 合成 , 有机电致发光特性

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