翟霞
,
王华
,
崔业让
,
袁昌来
,
许积文
,
张小文
,
周昌荣
,
江民红
,
刘心宇
人工晶体学报
采用传统固相合成法和制备工艺,在1040℃制备了{0.996 [0.95( Na0.5 K0.5)NbO3-0.05LiSbO3 ]-0.004FeBiO3}+x mol% CuO(KNN-LS-BF+x mol% CuO)无铅压电陶瓷,研究了CuO掺杂量对陶瓷结构和性能的影响.结果表明,CuO的低温促烧作用明显,微量CuO的掺入并没有改变陶瓷体系的相结构,但对陶瓷的压电和介电性能有明显影响.随CuO掺杂量的增加,陶瓷的d33、kp、εr均是先升高后降低,并在x=0.15时,d33、kp、εr分别达到最大值222 pC/N、0.36、1223.14;Qm也是先升高后降低,不过是在x=0.3时达到了最大值66.02.而tanδ则是先降低,在x=0.45达到最小值2.5%后又开始回升.在x=0.15时,所制备压电陶瓷有最好的综合性能:d33=222pC/N,kp=0.36,εr=1223.14,tanδ=3.3%,Qm =52.27.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
CuO掺杂
,
性能
崔业让
,
刘心宇
,
袁昌来
,
翟霞
,
胡耀斌
,
李若雯
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11517
采用固相合成法制备了Sm2O3掺杂的(Ba0.7Ca0.3)TiO3-Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BCZT)无铅压电陶瓷. 借助XRD、SEM等手段对该陶瓷的显微结构与电性能进行了研究. 结果表明, Sm2O3的掺杂降低了BCZT无铅压电陶瓷的烧结温度并使居里温度点Tc从85℃提高到95℃. 当Sm2O3掺杂量为0.02wt%~0.1wt%时, 样品具有典型ABO3型钙钛矿结构. Sm2O3掺杂量为0.02wt%时, 所得陶瓷样品具有最优综合电性能, 其压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因子Qm、介电损耗tanδ和介电常数εr分别为590 pC/N、0.52、43、1.3%和3372.
关键词:
无铅压电陶瓷; Sm2O3; 压电性能; 钙钛矿
崔业让
,
刘心宇
,
袁昌来
,
翟霞
,
胡耀斌
,
李若雯
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11517
采用固相合成法制备了Sm2O3掺杂的(Ba0.7Ca0.3)TiO3-Ba(Zr0.2T0.8)O3(BCZT)无铅压电陶瓷.借助XRD、SEM等手段对该陶瓷的显微结构与电性能进行了研究.结果表明,Sm2O3的掺杂降低了BCZT无铅压电陶瓷的烧结温度并使居里温度点Tc从85℃提高到95℃.当Sm2O3掺杂量为O.02wt%~0.1wt%时,样品具有典型ABO3型钙钛矿结构.Sm2O3掺杂量为O.02wt%时,所得陶瓷样品具有最优综合电性能,其压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因子Qm、介电损耗tanδ和介电常数εr分别为590pC/N、0.52、43、1.3%和3372.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
Sm2O3
,
压电性能
,
钙钛矿