沈涛
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刘俊成
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翟慎秋
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张国栋
人工晶体学报
运用正交设计,对CdZnTe晶体生长用高纯石英坩埚内壁镀膜过程中的镀膜温度、镀膜时间、气体流量、冷却时间四个因素进行了研究和优化.用金相显微镜,扫描电镜观察分析了不同镀膜工艺条件下得到的碳膜表面形貌,用WS-2005自动划痕仪对碳膜与石英管壁之间的结合力进行了测试.实验结果表明,镀膜温度对碳膜质量影响最为显著,其次是镀膜时间,再次为冷却时间,而气体流量对碳膜质量的影响甚小.镀膜工艺的优化参数:镀膜温度为1010 ℃,气体流量为6 L/h,镀膜时间为4 h,冷却时间为18 h.该工艺参数得到的碳膜较为均匀,且与石英管壁结合强度高.
关键词:
正交设计
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碳膜
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CdZnTe
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晶体生长
田志勇
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刘俊成
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翟慎秋
硅酸盐通报
ZnO是新型的宽禁带半导体材料,其激子束缚能较大,透明度高,在液晶显示器、隔热玻璃、薄膜晶体管、发光二极管等产品中均有应用.目前,虽然生长ZnO体单晶的方法已有多种,如水热法、助熔剂法、气相法、熔体法等,但大尺寸体单晶的制备仍然十分困难,而且质量也有待提高.本文综述了已有生长技术的优缺点,并提出了未来的研究方向.
关键词:
氧化锌
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单晶生长
,
半导体
