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Ba_0.9Sr_0.1TiO₃薄膜的椭偏光谱研究

阳生红 , 李辉遒 , 张曰理 , 莫党 , 田虎永 , 罗维根 , 蒲兴华 , 丁爱丽

用椭偏光谱仪首次在光子能量为２．１～５．２ｅＶ的范围内，测量了不同热处理温度下Ｂａ_０．９Ｓｒ_０．１ＴｉＯ_３（ＢＳＴ）薄膜的椭偏光谱，建立适当的拟合模型，并用Ｃａｕｃｈｙ色散模型描述ＢＳＴ薄膜的光学性质，用最优化法获得了所有样品的光学常数（折射率η和消光系数κ）谱及禁带能Ｅ_ｇ．比较这些结果，初步得到了ＢＳＴ薄膜的折射率η、消光系数κ和禁带能Ｅ_ｇ随退火温度变化的变化规律．

关键词: 椭偏光谱 , optical constant spectra , BST films

Ba0.9Sr0.1TiO3薄膜的椭偏光谱研究

阳生红 , 李辉遒 , 张曰理 , 莫党 , 田虎永 , 罗维根 , 蒲兴华 , 丁爱丽

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.02.018

用椭偏光谱仪首次在光子能量为2.15.2eV的范围内，测量了不同热处理温度下Ba0.9Sr0.1TiO3(BST)薄膜的椭偏光谱.建立适当的拟合模型，并用Cauchy色散模型描述BST薄膜的光学性质，用最优化法获得了所有样品的光学常数(折射率n和消光系数k)谱及禁带能Eg.比较这些结果，初步得到了BST薄膜的折射率n、消光系数k和禁带能Eg随退火温度变化的变化规律.

关键词: 椭偏光谱 , 光学常数谱 , BST薄膜

直流磁控反应溅射制备IrO₂薄膜

王世军 , 丁爱丽 , 仇萍荪 , 何夕云 , 罗维根

无机材料学报

为研究氧化依（ＩｒＯ_２）对ＰＺＴ铁电薄膜疲劳性能的影响，利用直流（ＤＣ）磁控反应溅射（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工艺成功地在ＳｉＯ_２／Ｓｉ（１００）衬底上制得了高度取向的ＩｒＯ_２薄膜．并在其上制成ＰＺＴ铁电薄膜．讨论了溅射参数（溅射功率、Ａｒ／Ｏ_２比、衬底温度）以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶、取向和形态的影响．

关键词: 氧化铱薄膜 , DC magnetron reactive sputtering , thermal annealing

水基溶胶-凝胶法制备Ba_0.5Sr_0.5TiO₃薄膜及其介电性能研究

齐兵 , 何夕云 , 丁爱丽 , 仇萍荪 , 陈先同 , 罗维根

无机材料学报

本文研究了一种以水为溶剂的Ba_0．5Sr_0.5TiO₃（BST）液体源溶液，并用Sol－Gel技术制备出BST薄膜，实验中，对水基BST液体源浓缩凝胶进行了DTA／TGA分析，XRD谱分析显示，BST膜呈现纯钙钛矿相结构．从SEM电镜照片可以看到，BST薄膜厚度均匀一致，650℃热处理20min后，晶粒大小为200nm左右．性能测试结果表明，介电性能与膜厚有关，厚度为1250A的BST薄膜具有较优良的介电性能，当测试频率为1kHz时，介电常数为330，介电损耗为0.043左右．

关键词: 钙钛矿 , null , null , null

溅射工艺参数对PZT铁电薄膜相变过程的影响

曾晟 , 丁爱丽 , 仇萍荪 , 何夕云 , 罗维根

无机材料学报

采用射频磁控溅射工艺，在（111）Pt／Ti／SiO₂／Si衬底上用PZT（53／47）陶瓷靶制备铁电薄膜．用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行RTA处理．薄膜的相结构由XRD确定．通过改变氩气和氧气的比例以及衬底温度，研究了溅射气氛和衬底温度对PZT铁电薄膜结构的影响．实验表明，在不同的溅射气氛和衬底温度条件下，薄膜会经历不同的相变过程．用RT66A标准铁电测试设备测量了薄膜的铁电性能，在外加电压为5V时，P_r=14.6μC／cm²，E_c＝82．gkV／cm．

关键词: 射频磁控溅射 , null , null , null

溅射工艺参数对PZT铁电薄膜相变过程的影响

曾晟 , 丁爱丽 , 仇萍荪 , 何夕云 , 罗维根

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.018

采用射频磁控溅射工艺,在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用PZT(53/47)陶瓷靶制备铁电薄膜.用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行RTA处理.薄膜的相结构由XRD确定.通过改变氩气和氧气的比例以及衬底温度,研究了溅射气氛和衬底温度对PZT铁电薄膜结构的影响.实验表明,在不同的溅射气氛和衬底温度条件下,薄膜会经历不同的相变过程.用RT66A标准铁电测试设备测量了薄膜的铁电性能,在外加电压为5V时,Pr=14.6uC/cm2,Ec=82.9kV/cm.

关键词: 射频磁控溅射 , 铁电薄膜 , 烧绿石相 , 钙钛矿相

直流磁控反应溅射制备IrO2薄膜

王世军 , 丁爱丽 , 仇萍荪 , 何夕云 , 罗维根

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.04.027

为研究氧化铱(IrO2)对PZT铁电薄膜疲劳性能的影响，利用直流(DC)磁控反应溅射(sputtering)工艺成功地在SiO2/Si(100)衬底上制得了高度取向的IrO2薄膜. 并在其上制成PZT铁电薄膜. 讨论了溅射参数(溅射功率、Ar/O2比、衬底温度)以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶、取向和形态的影响.

关键词: 氧化铱薄膜 , 直流磁控反应溅射 , 热退火

Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的制备、结构及性能研究

叶扬 , 丁爱丽 , 唐新桂 , 罗维根

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.01.021

研究了一种以乙二醇为稳定剂的新的BST前驱液,用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地制备出具有优良电学性能的Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜.乙二醇的加入有效地增加了前驱液的稳定性,并降低薄膜的结晶温度.利用XRD、DTA等技术分析了凝胶热处理过程中相变化情况及薄膜厚度与成相的关系.厚度200nm,O2气氛中700°C处理15min后的BST薄膜具有良好的介电性能,100kHz时介电常数ε>400,介电损耗D<0.02;P-E电滞回线说明薄膜具有良好的铁电性能,剩余极化Pr约为1.4μC/cm2,矫顽场强Ec约为48kV/cm.

关键词: BST薄膜 , 溶胶-凝胶法 , 乙二醇 , P-E电滞回线