田野
,
罗飞
,
刘大博
,
祁洪飞
,
陈冬生
,
罗炳威
,
周海涛
,
麦克瓦尔·里兹柯夫
航空材料学报
doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2016.000211
采用反应溅射和后续退火工艺,在石英衬底上制备具有热致相变特性的VO2薄膜,并对薄膜的光学性能进行表征.研究发现:在弱光辐射下,随着温度的改变,薄膜的透射率在可见及近红外光区会发生显著变化,具有良好的相变光开关特性;在强光辐射下,制备的VO2薄膜同样具有良好的红外光调制深度;当脉冲激光波长为1064 nm时,随着脉冲能量的逐渐增强,薄膜的表面反射率逐渐降低,光限幅性能呈现出先升高再降低的趋势,其透射率最低可降至7%,薄膜的脉冲激光损伤阈值约为50 mJ/cm2.
关键词:
VO2
,
热致相变
,
激光防护
曹丽莉
,
王瑶
,
邓元
,
罗炳威
,
祝薇
,
史永明
,
林桢
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.13385
采用双靶共溅法制备了铜掺杂的碲化铋锑热电薄膜,铜与碲化铋锑共溅的方法有利于形成沿c轴方向择优生长的碲化铋锑薄膜.结果表明,铜原子均匀的掺杂在碲化铋锑薄膜材料中.由于铜原子有利于提高载流子迁移率,薄膜材料的电导率随着铜掺杂比例的提高得到了极大的提升.当铜靶的溅射功率为20W时,可以得到最高的电导率,同时功率因子的最佳值可提升到20 μW/(cm·K2).
关键词:
半导体
,
薄膜
,
热电性能
,
磁控溅射
罗炳威
,
邓元
,
高歌
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.18.008
利用磁控溅射法,研究了不同基底温度和工作气压对 CdTe 薄膜微纳米结构的影响. XRD 和SEM表征结果表明,基底温度直接决定着 CdTe 粒子的生长和表面扩散能力,工作气压会直接影响入射在衬底表面的粒子能量,溅射功率决定提供 CdTe 粒子的量.通过生长条件的进一步探索和优化,最终在溅射功率为84 W、工作气压为0.4 Pa和石英基底温度为200~450℃时成功获得直径约150 nm,形貌均一的一维CdTe纳米棒阵列.
关键词:
CdTe
,
纳米棒
,
阵列
,
纤维锌矿相