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脉冲激光辐射下VO2薄膜的光限幅性能

田野 , 罗飞 , 刘大博 , 祁洪飞 , 陈冬生 , 罗炳威 , 周海涛 , 麦克瓦尔·里兹柯夫

航空材料学报 doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2016.000211

采用反应溅射和后续退火工艺,在石英衬底上制备具有热致相变特性的VO2薄膜,并对薄膜的光学性能进行表征.研究发现:在弱光辐射下,随着温度的改变,薄膜的透射率在可见及近红外光区会发生显著变化,具有良好的相变光开关特性;在强光辐射下,制备的VO2薄膜同样具有良好的红外光调制深度;当脉冲激光波长为1064 nm时,随着脉冲能量的逐渐增强,薄膜的表面反射率逐渐降低,光限幅性能呈现出先升高再降低的趋势,其透射率最低可降至7%,薄膜的脉冲激光损伤阈值约为50 mJ/cm2.

关键词: VO2 , 热致相变 , 激光防护

铜对双靶共溅制备热电薄膜输运性能的影响

曹丽莉 , 王瑶 , 邓元 , 罗炳威 , 祝薇 , 史永明 , 林桢

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.13385

采用双靶共溅法制备了铜掺杂的碲化铋锑热电薄膜,铜与碲化铋锑共溅的方法有利于形成沿c轴方向择优生长的碲化铋锑薄膜.结果表明,铜原子均匀的掺杂在碲化铋锑薄膜材料中.由于铜原子有利于提高载流子迁移率,薄膜材料的电导率随着铜掺杂比例的提高得到了极大的提升.当铜靶的溅射功率为20W时,可以得到最高的电导率,同时功率因子的最佳值可提升到20 μW/(cm·K2).

关键词: 半导体 , 薄膜 , 热电性能 , 磁控溅射

磁控溅射法制备一维CdTe纳米棒阵列研究?

罗炳威 , 邓元 , 高歌

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.18.008

利用磁控溅射法,研究了不同基底温度和工作气压对 CdTe 薄膜微纳米结构的影响. XRD 和SEM表征结果表明,基底温度直接决定着 CdTe 粒子的生长和表面扩散能力,工作气压会直接影响入射在衬底表面的粒子能量,溅射功率决定提供 CdTe 粒子的量.通过生长条件的进一步探索和优化,最终在溅射功率为84 W、工作气压为0.4 Pa和石英基底温度为200~450℃时成功获得直径约150 nm,形貌均一的一维CdTe纳米棒阵列.

关键词: CdTe , 纳米棒 , 阵列 , 纤维锌矿相

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