李凤华
,
王威
,
李英楠
,
罗清威
,
单玉桥
,
樊占国
,
卢亚峰
,
李成山
功能材料
采用磁控溅射法在立方织构Ni-5%(原子分数,下同)W基底上沉积了Ag薄膜作为第二代高温超导带材--YBaCuO涂层导体的导电缓冲层,并通过后期在Ar气氛下热处理使Ag膜具有(200)择优取向.磁控溅射后Ag膜的择优取向为(111),随着热处理温度的升高,(200)择优取向强度增加.采用慢降温工艺即在900℃下恒温30min,然后以较慢的速率10℃/h降至800℃后样品随炉冷却,有利于Ag薄膜由(111)向(200)的择优生长转变.
关键词:
YBaCuO涂层导体
,
Ag
,
择优取向
,
热处理
李凤华
,
庞雪
,
罗清威
,
李英楠
,
王威
,
冉阿倩
,
樊占国
功能材料
通过二次冷轧铜棒并850℃恒温热处理,制备出具有较强立方织构的Cu基带。以硝酸银、亚硫酸钠和硫代硫酸钠为主要原料配制镀银液,在立方织构Cu基带上制备出具有较强Ag（200）择优取向的银镀层。在600℃恒温热处理30min后Ag膜仍具有（200）择优取向,而830℃热处理后,Ag会扩散到Cu基底中,重复镀银、热处理5次后,Ag膜具有（200）的择优取向并少量面内织构,所得Ag/立方织构Cu复合带材可作为第二代高温超导带材YBCO涂层导体的金属基底。
关键词:
YBCO涂层导体
,
立方织构
,
Cu带
,
化学镀银
李凤华
,
罗清威
,
李英楠
,
樊占国
材料与冶金学报
doi:10.3969/j.issn.1671-6620.2010.03.007
以Ni合金为基底的YBCO涂层导体具有三明治结构,从下至上分别是:Ni合金、缓冲层、YBCO涂层与稳定层.在实用超导薄膜内部,局域超导电流由于晶粒弱连接、缺陷或裂纹等原因突然消失的情况下,一旦能量耗散超过临界值将会导致超导薄膜失超.在典型的YBCO涂层导体结构中,由于缓冲层是绝缘的氧化物,只能通过顶层的Ag或Cu稳定层的分流来实现电流传输方向的调整.如果在YBCO与正常金属基底之间存在连续的导体连接,即缓冲层导电,就可以不需稳定层,减少涂层导体的整体厚度,提高工程临界电流密度JE·如果钙钛矿导电缓冲层均匀无裂纹且足够厚,就可以起到隔离、外延、电流传输三重功效,同时提高JE·采用伞化学溶液法制备了具有(001)择优取向的BaPbO3,La0.5Sr0.5TiO3钙钛矿导电缓冲层与YBCO涂层,对于探索低成本的实用化工艺路线具有重要的实际应用价值.
关键词:
YBCO涂层导体
,
导电缓冲层
,
钙钛矿
,
临界电流密度
李英楠
,
李凤华
,
罗清威
,
樊占国
,
李成山
,
卢亚峰
稀有金属
用化学法在Ni-5％W基底上制备Gd掺杂CeO2膜.以乙酸铈((CH3CO2)3Ce(Ⅲ))、硝酸钆(GdN3O9)为起始原料,按照阳离子Ce3+:Gd3+为4:1的比例溶解于丙酸(C2H5COOH)中制成前驱液.将前驱液旋涂在Ni-5％W基底上,在4％H2/Ar气氛下进行1100℃热处理,形成立方织构的Gd掺杂CeO2膜.采用XRD和SEM对不同旋涂转速工艺制备的CeO2膜进行晶体结构和微观形貌的检测和分析.以总阳离子浓度为1.2 mol/L前驱液经过3000 r/min,60 s的涂覆工艺,经过二次涂覆和1100℃热处理的CeO2膜结晶程度高,无裂纹,有立方织构.Ce3+在4％H2/Ar还原性气氛里可以转变为Ce4+.
关键词:
化学法
,
Ni-5％W基底
,
掺杂
,
CeO2
邹祥宇
,
廖先杰
,
卫学玲
,
夏鹏举
,
徐峰
,
罗清威
材料与冶金学报
采用熔盐电脱氧法(FFC)制备Al3Sc,并应用以密度泛函理论为基础的平面波赝势方法,利用第一性原理的CASTEP软件包计算了Al3Sc的晶体结构和电子结构.结果表明:物质的量比为3:1的Al2O3和Sc2O3混合阴极片,在700 cc、3.2V电解电压下,经20 h电解后完全形成Al3Sc.计算了Al3Sc的品格常数a =0.411 nm,与XRD检测结果符合.
关键词:
熔盐电脱氧法
,
Al3Sc
,
第一性原理
,
晶体结构
,
电子结构
罗清威
,
王雪
,
李风华
,
冉阿倩
,
李英楠
,
樊占国
功能材料
采用金属有机沉积法(MOD)在双轴织构的Ni-5%(原子分数)W基带上制备了SrTiO3种子层,然后再在种子层上沉积La0.4Sr0.6TiO3薄膜.SEM图像显示种子层颗粒分布均匀,大小基本一致.通过XRD和SEM研究了不同热处理温度对La0.4Sr0.6TiO3薄膜取向和微观形貌的影响,结果显示,在Ar-4%H2气氛下于950℃制备的薄膜取向良好,表面光滑致密,无裂纹和孔洞出现.
关键词:
SrTiO3种子层
,
La0.4Sr0.6TiO3缓冲层
,
热处理
,
取向
罗清威
,
冉阿倩
,
李凤华
,
李英楠
,
洪成哲
,
樊占国
材料与冶金学报
doi:10.3969/j.issn.1671-6620.2011.03.009
采用金属有机沉积( MOD)法制备了SrTiO3 (STO)外延薄膜作为YBa2Cu3O7-δ涂层导体的缓冲层.以乙酸锶、钛酸丁酯为前驱物配制了Sr离子浓度为0.125 mol ·L-1的SrTiO3前驱溶液.研究了950℃下不同烧结时间(90、120、150 min)对在双轴织构的Ni -W(200)金属基带上沉积STO外延薄膜晶体取向和微观形貌的影响.结果表明,在950℃氩氢混合气氛(Ar - 4％ H2)下适宜于STO薄膜外延生长的最佳烧结时间为120 min；STO缓冲层薄膜表面平整致密,无裂纹和孔洞,具有良好取向,可作为YBa2Cu3O7-δ涂层导体的缓冲层.
关键词:
金属有机沉积
,
涂层导体
,
SrTiO3
,
缓冲层
,
烧结时间
罗清威
,
李文虎
,
邹祥宇
,
艾桃桃
材料与冶金学报
doi:10.14186/j.cnki.1671-6620.2016.03.009
近些年来，碳化物衍生碳以其独特的性能被广泛应用在气体存储、超级电容器、催化剂载体和摩擦涂层等方面。卤化法以成本低、制备工艺简单等特点成为制备衍生碳涂层的热点。本文以SiC陶瓷基体为前驱体，通过高温氯化处理工艺在 SiC表面制备碳化物衍生碳涂层，并研究了反应温度与其摩擦学性能之间的关系。研究结果表明：在1175℃下保温2 h所制备的SiC-CDC涂层表面光滑平整、硬度最高、且与基体的结合强度最好。此时SiC-CDC涂层的干摩擦系数最小，耐磨性最强，具有良好的摩擦学性能。氯气刻蚀反应制备SiC-CDC涂层可为工业上应用衍生碳涂层提供理论和技术支持。
关键词:
碳化物衍生碳
,
反应温度
,
摩擦学性能
