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Zn/纳米棒阵列ZnO/聚噻吩复合电极的制备及光电化学性质

庞起 , 韩建鹏 , 梁春杰 , 周立亚 , 罗济文

功能材料

使用简单的水热法在锌片上生长ZnO纳米棒阵列,并用电化学共聚制备了ZnO纳米棒阵列与聚噻吩(Zn/ZnO/PTH)复合膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对ZnO的结构和形貌进行表征,XRD结果表明产物为六方纤锌矿型ZnO.SEM结果表明,在垂直锌片方向生长了包括纳米棒、纳米片、纳米线的表面光滑的ZnO纳米阵列,其中以纳米棒为主,其直径为30~100nm,长度>1μm.用光电流作用谱、光电流-电势图研究了Zn/ZnO/PTH电极的光电转换性质.结果表明,PTH修饰ZnO/Zn电极可使光电流产生波长发生明显红移,使其光电转换效率提高了4倍,填充因子FF=33%,光电转换效率η=1.25%.

关键词: 水热法 , ZnO纳米棒阵列 , Zn/ZnO/PTH复合膜 , 光电化学

四脚状CdSe敏化TiO2纳米管阵列薄膜光电性能研究

梁春杰 , 冷利民 , 何军 , 庞起 , 周立亚 , 罗济文

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.02.019

采用阳极氧化法在钛基底上生长了一维高度有序TiO2纳米管阵列,并与CdSe四脚状晶体及CdSe量子点组装成一种新型的量子点敏化太阳能电池( QDSSCs).该阵列结构为光生电子的传递提供了快速通道,CdSe四脚状三维空间结构增加了其吸附在TiO2纳米管阵列的稳定性.采用XRD,SEM和HR-TEM对阵列及CdSe四脚状和量子点进行了表征.考察了CdSe四脚状和量子点敏化纳米管阵列三电极电池结构的光电性能.XRD谱图表明TiO2的锐钛矿晶型特征峰没有发生变化,同时出现了一系列的CdSe六方晶型和立方晶型特征峰.SEM图表明所制备的TiO2具有高度有序的纳米管阵列结构,且孔径大小均一、约为120 nm,长度近13.8 μm.TEM和HRTEM图表明CdSe量子点具有四脚结构,CdSe核的直径约为4.1nm,臂宽约为3.1nm,臂长约为16.0nm.结果表明:通过四脚状CdSe修饰TiO2纳米管阵列基电极在可见光谱区域的吸收得到了明显增强;此外,在模拟太阳光(AM 1.5 100 mW·cm-2)的照射下,四脚状CdSe敏化比CdSe量子点敏化TiO2纳米管阵列三电极结构电池的光电转换效率高,它们分别为0.13%和0.30%.

关键词: TiO2纳米管阵列 , CdSe , 四脚状 , 量子点 , 光电性能

单壁碳纳米管修饰玻碳电极对L-半胱氨酸的催化氧化及分析应用

罗济文 , 张志凌 , 李家洲 , 黄志伟 , 李家贵 , 陈渊

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2005.11.016

研究了单壁碳纳米管(SWNT)修饰玻碳电极对L-半胱氨酸(L-Cys)氧化的催化作用.在pH=7.0的磷酸盐缓冲溶液(PBS)中,L-半胱氨酸在单壁碳纳米管修饰玻碳电极上于0.54 V(vs.SCE)产生不可逆的氧化峰.峰电位大大低于其在裸玻碳电极上的电位.峰电流与L-半胱氨酸的浓度在2-0×10-6~3.0×10-4mol/L范围内有良好的线性关系,检出下限为5.5×10-7mol/L.对含0.10 mmol/L L-半胱氨酸的溶液进行7次平行测定的RSD=3.2%,修饰电极稳定性好.将该修饰电极用于复方氨基酸注射液L-半胱氨酸的测定,回收率在94%~97%之间.

关键词: L-半胱氨酸 , 单壁碳纳米管 , 化学修饰电极 , 电催化氧化

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