吴东旭
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郑学军
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程宏斌
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李佳
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罗晓菊
人工晶体学报
采用化学气相沉积法,通过改变催化剂和衬底,以Ga2 O3和GaN的混合粉末为镓源制备出了不同生长方向的GaN纳米线,制备的平躺于衬底的GaN纳米线的直径约为60 nm,长度为10 μm到30 μm之间.垂直于衬底的GaN纳米线阵列的直径约为300 nm,长度约为5μm.使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行了分析表征,结果表明所得样品为六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过改变催化剂和衬底等生长条件,研究了衬底和催化剂对纳米线生长方向的影响,为以后的大量制备以及纳米器件的制作提供了依据.
关键词:
GaN纳米线
,
化学气相沉积
,
催化剂
,
衬底
彭丹
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郑学军
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谢澍梵
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罗晓菊
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王丁
无机材料学报
doi:10.15541/jim20130617
首先用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为表面活性剂，硝酸镓[Ga(NO3)3]作为镓源，采用溶胶-凝胶法制备了 GaN 粉末。然后通过固相法将GaN粉末和ZnO粉末按不同配比机械混合，制备成GaN/ZnO复合体。采用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和发致光谱(PL)表征GaN/ZnO复合体的微结构、形貌、成分和发光特性，并将其作为催化剂进行降解亚甲基蓝水溶液的光催化性能测试。结果表明： GaN/ZnO复合体对比未经复合的GaN和ZnO粉末，光催化性能有明显的增强。基于一级动力学方程分析，当GaN/ZnO复合体中GaN粉末和ZnO粉末含量配比为1：2时，光催化性能达到最佳，其速率常数k值为0.11 min-1。
关键词:
GaN/ZnO复合体
,
光催化
,
亚甲基蓝
,
反应动力学
