何金江
,
陈明
,
朱晓光
,
罗俊锋
,
尚再艳
,
贺昕
,
熊晓东
贵金属
高纯 Au、Ag、Pt、Ru 贵金属及其合金溅射靶材是半导体 PVD 工艺制程中的溅射源材料，广泛用于半导体制造工艺中，成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料。材料的高纯化、高性能贵金属及其合金靶材的制备（金属熔铸、热机械处理、粉末烧结、焊接等）以及贵金属靶材残靶及加工余料残屑的提纯回收利用是研究发展的重点，以实现贵金属靶材产品的高效增值。
关键词:
金属材料
,
半导体
,
溅射靶材
,
高纯
,
金
,
银
,
铂
,
钌
丁照崇
,
何金江
,
罗俊锋
,
李勇军
,
熊晓东
稀有金属材料与工程
以高纯W-Si合金粉(＞99.995％)为原料,采用真空热压烧结工艺制备高纯W-Si合金靶材.研究烧结温度、热压压力、保温时间等工艺条件对靶材密度、微观组织性能的影响.结果表明,烧结温度在1350～1380℃,热压压力25～30MPa,保温时间1.5～2 h,可制备出相对密度99％以上、平均晶粒尺寸100 μm以内的高性能W-Si合金靶材.
关键词:
高纯W-Si合金
,
磁控溅射靶材
,
真空热压烧结
董亭义
,
万小勇
,
罗俊锋
,
高岩
,
王欣平
材料热处理学报
研究了压缩变形及退火热处理对高纯Ag（99．99％）微观组织的影响。结果表明，高纯Ag铸锭模锻后，经570oC×2h退火可消除铸态组织，屈服强度约为66MPa，随应变的增加应力明显增加；然后经道次变形量20％，总变形量85％的变形，退火温度为360oC时间为1．5h，高纯Ag坯料的微观组织均匀，符合制备靶材的基本要求。
关键词:
高纯Ag
,
微观组织
,
变形
,
退火
罗俊锋
,
王欣平
,
万小勇
,
何金江
,
朱晓光
,
江轩
材料导报
通过电导率测量、硬度分析和金相组织观察,研究了不同热处理工艺对Al-4.0％Cu(质量分数,下同)合金电导率的影响,分析了析出相、合金硬度和电导率之间的关系.实验结果表明,Al-4.0％Cu合金的电导率主要受基体中Cu固溶度和析出相状态的影响；双级时效处理对电导率和硬度的决定因素主要为二级时效的温度与时间,一级时效后合金的电导率和硬度会随着二级时效发生改变；退火后的Al-4.0％Cu合金于350℃保温24h后,可获得较高的电导率,此时基体中的析出相为细小、弥散的θ相.
关键词:
Al-Cu合金
,
溅射靶材
,
热处理
,
显微组织
,
电导率
