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高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长

李亮 , 李忠辉 , 罗伟科 , 董逊 , 彭大青 , 张东国

人工晶体学报

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜.X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗糙度小于0.5nm,其位错密度低于106 cm3.

关键词: GaN薄膜 , MOCVD , 同质外延