黄卫东
,
王旭洪
,
盛玫
,
徐立强
,
罗乐
,
冯涛
,
王曦
,
张富民
,
邹世昌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.015
利用等离子体化学气相沉积( PECVD)技术 ,采用不同的沉积条件 (20～ 180℃的基板温度范 围和 10～ 30W的射频功率 )制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的 影响.实验发现随着基板温度的增加 ,氮化硅薄膜的密度、折射率和 Si/N比相应增加 ,而沉积速 率和 H含量相应减少 ;随着射频功率的增加 ,氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和 Si/N比相 应增加 ,而 H含量相应减少.水汽渗透实验发现即使基板温度降低为 50℃,所沉积的氮化硅薄膜 仍然具有良好的防水性能.实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件( OLED) 的封装.
关键词:
氮化硅薄膜
,
有机发光器件
,
封装
黄卫东
,
王旭洪
,
王莉
,
盛玫
,
徐立强
,
Frank Stubhan
,
罗乐
腐蚀学报（英文）
doi:10.3969/j.issn.1002-6495.2004.05.007
测量了在FR4基板上用引线键合和顶充胶封装的湿度传感器在无防护、氮化硅薄膜防护、硅酮涂层防护、硅酮涂层加氮化硅薄膜防护四种情况下及在不同温湿度环境下的水汽扩散曲线.应用有限元分析和FICK扩散方程模拟了实验曲线,得到了水汽在各种防护条件下的扩散系数,进而计算出水汽扩散的激活能,定量比较了各种防护方法的效果.实验和模拟结果表明:硅酮加氮化硅薄膜的双层防护可以显著改善电子模块的防水性能.
关键词:
塑料封装
,
湿度传感器
,
水汽扩散
,
有限元分析
罗乐
,
蒋大鹏
,
赵读亮
,
严中亚
,
程光存
,
方晓东
,
陶汝华
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.02.015
为研究烧结温度对羟基磷灰石靶的影响规律,把纯度为99 ％ 的羟基磷灰石粉末压制成圆盘形的靶后,在氩气中分别在600℃、700℃和800℃高温下进行烧结.用X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对未烧结和在不同温度下烧结的羟基磷灰石靶进行检测.检测结果表明:烧结温度对羟基磷灰石靶的结晶度和组成元素没有显著影响.但是随着烧结温度的升高,羟基磷灰石靶的平均粒径和钙磷比值都增大.800℃高温烧结的羟基磷灰石靶具有更好的生物相容性、生物活性和稳定性.
关键词:
材料
,
羟基磷灰石靶
,
烧结温度
,
钙磷比
,
结晶度
,
平均粒径
孙志国
,
黄卫东
,
蒋玉齐
,
罗乐
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.016
利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在基板靠近边的位置和中心位置时应力水平接近,但是靠近基板一角的位置应力较大,而且在热处理过程中应力出现"突跳"和"尖点".
关键词:
硅压阻传感器
,
残余应力
,
位置
,
失效
魏旺水
,
罗乐
,
张永红
,
龚尚敏
,
章岚
,
胡素辉
材料研究学报
在无特殊设计的温度梯度条件下,用熔融织构法制备了高电流密度的YBCO(123)块样。组织分析表明,样品由厚度约为10μm 的薄片晶粒,按c 轴相互平行的方式定向排列而成,晶粒长度达1cm。在77K,5T 下,直流传输电流密度达40kA/cm~2。钉扎势(77K,1T)为0.2eV 左右。
关键词:
高T_c超导体
,
melting textured growth
,
critical cuttent density.
郭俊榕
,
罗乐
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.013
研究了一种采用Rogers 4003型有机基板材料和PCB工艺制造的MMIC一级封装结构,该封装结构与SMT工艺兼容,具有良好的散热性能和较低的成本,可用于X＆Ku波段驱动放大器芯片.采用三维电磁场仿真软件对封装结构进行了优化设计,制备了封装结构样品,并采用HP 8722D型高频网络分析仪实测了封装后的X＆Ku波段驱动放大器芯片性能.测试结果表明,在6～18GHz频段内,封装后芯片的增益维持在20dB以上,反射小于-10dB,性能与裸芯片十分接近.关键词:MMIC,封装,有机基板材料,SMT,三维电磁场仿真
关键词:
频率
,
热敏电阻
,
NTC
,
PTC
肖克来提
,
杜黎光
,
孙志国
,
盛玫
,
罗乐
金属学报
研究了SnAgCu/Cu和SnAgCu/Ni-P/Cu表面贴装焊点在时效和热循环过程中的微结构及剪切强度的变化结果表明,SnAgCu与Cu的反应速率大于其与Ni-P的反应速率.经长时间时效后,SnAgCu/Cu焊点中SnAgCu与Cu的界面成为弱区,而SnAgCu/Ni-P/Cu焊点的剪切断裂则发生在Ni-P与Cu的界面.热循环过程中两种焊点均产生裂纹且强度下降.长时间热循环后Ni-P与Cu分层脱开,SnAgCu/Ni-P焊点失去强度.
关键词:
SnAgCu钎料
,
null
,
null
