王锐
,
李道火
,
黄永攀
,
罗丽明
,
浦坦
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2004.05.030
为了制备高纯度的非晶纳米氮化硅粉体,在传统的激光诱导化学气相沉积法反应装置的基础上,加入正交紫外光束以激励NH3分解,从而提高气相中n(N)/n(Si)比,减少产物中游离硅的摩尔浓度.利用TEM技术和光谱分析技术研究了粒子的形貌和特性.结果表明:在一定的工艺参数条件下,可制备出粒径超微(7～15 nm)、无团聚、理想化学剂量(n(N)/n(Si)=1.314)的非晶纳米氮化硅粉体;表面效应和量子尺寸效应导致粉体红外吸收光谱和拉曼光谱的"蓝移"和"宽化"现象;采用双光束激励的激光诱导化学气相沉积法是制备高纯度纳米氮化硅粉体的理想方法.
关键词:
LICVD
,
Si3N4
,
双光束激发
,
红外吸收光谱
,
拉曼光谱
罗丽明
,
王英俭
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2008.02.008
研究了提拉法生长的钨酸镉单晶在真空与氧气氛中退火对晶体透过率、激发发射光谱和荧光寿命等的影响,结果表明:氧退火有利于提高晶体的透过率与光产额,并在一定程度上提高了蓝光发射比例,提高了该晶体的能量分辨率,这可能是氧退火使晶体的氧空位减少,导致晶体在340～440 nm由氧空位缺陷产生的吸收减弱所致.同时,氧退火有利于缩短晶体的荧光寿命,从而提高钨酸镉的时间分辨率.
关键词:
材料
,
钨酸镉
,
退火
,
光致发光
,
荧光衰减寿命
,
闪烁体
罗丽明
,
陶德节
,
王英俭
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.004
本工作生长出了φ57mm×45mm的大尺寸CdWO4单晶,并报道了该晶体的最佳生长工艺.对CdWO4原料的一次烧结物、生长炉壁的挥发物进行了XRD谱的测试分析,结果表明一次烧结可以得到基本成相的多晶料;生长原料CdO较WO3更易挥发.同时,测试了CdWO4晶体的一些光学性能,初步探讨了该晶体的发光特性,分析表明氧退火有利于提高晶体的透过率,这可能是由氧退火使氧空位减少所致.此外,该晶体的本征发光主要是由蓝、绿光所组成的.
关键词:
CdWO4晶体
,
晶体生长
,
光学性能
