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不同Ag光照时间对ZnO纳米花荧光增强的影响

杨金梅 , 张海明 , 王旭 , 缪玲玲 , 杨岩

人工晶体学报

采用水浴结合光照法,在Si(100)衬底上制备了Ag/ZnO纳米花结构,研究了不同Ag光照时间对ZnO发光性质的影响.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)对Ag/ZnO纳米花的结构、形貌和光学性能进行了研究.研究表明,由水浴法制得的ZnO纳米花结构长度约1.0 μm,直径为200nm左右;不同光照时间的Ag掺杂后Ag/ZnO纳米花的衍射峰强度都增强,当光照时间为5min时,出现了Ag3O4的衍射峰.当光照时间为5 min时,Ag/ZnO纳米花结构具有最强的可见发射强度.

关键词: ZnO , 光照 , 水浴法 , 光致发光

硅基AAO模板内电化学沉积ZnO纳米线及其光电性能研究

李芹 , 张海明 , 李菁 , 杨岩 , 缪玲玲

人工晶体学报

本文利用二次阳极氧化法在p型低阻〈100)晶向的硅衬底上制备了AAO/Si,以硅基AAO为辅助模板,采用电化学沉积的方法以Zn( NO3)·6H2O和HMT( C6 H12 N4)为原料,在80℃的水浴槽中制备了ZnO纳米线结构.采用SEM,XRD和拉曼光谱等手段对ZnO/AAO/Si复合结构进行表征.SEM图表明ZnO纳米线已成功组装到AAO/Si模板里,直径约45 nm,长度约为600 nm.XRD和拉曼光谱表明ZnO具有六角纤锌矿多晶结构.光致发光(PL)谱图表明ZnO/AAO/Si复合结构在565 nm附近有较宽黄绿发射峰,在395 nm附近有微弱的紫外发射峰.场发射测试结果表明,ZnO纳米线的场增强因子的β值为2490,场增强因子很高,具有广泛的应用前景.

关键词: 电化学 , ZnO , 场发射

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