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MgB2超导体含碳掺杂研究进展

张子立 , 索红莉 , 马麟 , 高培阔 , 王朝 , 刘敏 , 曹玲柱 , 赵跃 , 李亚明 , 周美玲

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.03.001

MgB2超导体具有临界转变温度39 K、原材料廉价及制备工艺简单等优点,被认为是MRI中已用超导体最好的替代者.但是临界电流密度(Jc)随外加磁场增大下降较快的这一问题极大的阻碍了其实际中的应用.实验结果表明:采取掺杂的方法来提高MgB2的超导电性尤其是高场下Jc值是一条有效的途径,本文概述了用单质碳和含碳化合物对MgB2超导体进行掺杂从而提高其超导特性的最新研究工作,具体介绍了掺杂物颗粒大小、掺杂量以及烧结温度等参数对MgB2超导电性的影响.研究表明:在碳单质掺杂中纳米级碳颗粒和碳纳米管具有比较好的掺杂性能,可以大幅度提高高场下的Jc值;在含碳化合物中,用纳米级SiC进行掺杂不仅可以大幅度提高高场下的Jc值,而且相比碳单质有更高的Tc值.根据目前的研究结果,最后本文对MgB2超导体掺杂研究的未来发展趋势进行了展望.

关键词: MsB2超导体 , 临界电流密度Jc , 含碳掺杂

热处理工艺对Ni-7W合金基带立方织构的影响

祝永华 , 索红莉 , 赵跃 , 高忙忙 , 程艳玲 , 马麟 , 高培阔 , 王建宏 , 吉元 , 周美玲

稀有金属材料与工程

采用先进的放电等离子烧结技术(SPS)制备Ni-7W(at%,下同)(Ni7W)合金初始锭,通过高能球磨使Ni、W粉末充分混合,优化冷轧和热处理工艺制备出高立方织构的Ni7W合金基带.基带晶粒大小均匀,电子背散射衍射技术(EBSD)测试结果显示:该Ni7W基带表面10°以内立方织构晶粒含量高达99.4%,10°以内晶界长度含量为93.6%;XRD测得的基带(111)Phi扫描和(200)摇摆曲线表明:基带的面内和面外半高宽分别是6.32°和5.4°,表明基带具有锐利的立方织构.在该基带上制备的La2Zr2O7(LZO)过渡层显示,LZO很好地外延生长了基底的织构,LZO薄膜(222)面φ扫描和(400)面摇摆曲线的半高宽值分别为7.57°和5.73°.

关键词: Ni7W基带 , 织构 , 再结晶退火 , 电子背散射衍射(EBSD) , LZO过渡层

F掺杂对铁基超导体SmO1-xFδFeAs制备和性能的影响

刘志勇 , 索红莉 , 马麟 , 赵俊静 , 倪宝荣 , 郭志超 , 闫镔杰 , 刘敏 , 吴紫平 , 周美玲

稀有金属材料与工程

研究了F掺杂对铁基超导体SmO0.7F0.3FeAs的制备和性能的影响.利用二次固相反应在1120℃保温40h制备出超导临界转变温度(Tc)为56.5 K的SmO0.7F0.3FeAs超导体样品,其临界电流密度Jc为2.4× 105 A/cm2(10 K,0 T).研究发现,SmO1-xFxFeAs样品的Tc受F含量的强烈影响,晶格参数的变化也是诱导SmO1-xFxFeAs超导体的Tc变化的原因之一.在此基础上详细研究了F元素过掺杂对铁基超导体SmO1-xFδFeAs(δ>x)制备参数和性能的影响.F元素过量时,在不降低SmO1-xFδFeAs超导性能的情况下,F元素过掺杂可以一定程度地降低样品制备时的热处理温度和极大地缩短热处理时间.1100℃时保温20h制备的SmO0.7F0.35FeAs和SmO0.7F04FeAs样品的Tc分别为56和55K;其临界电流密度Jc分别为1.9×105和1.7× 105 A/cm2 (10K,0 T).

关键词: 铁基超导体 , SmO1-xFδFeAs , 掺杂

温轧对Ni9W合金基带织构形成的影响

田辉 , 索红莉 , 周静怡 , 高忙忙 , 马麟 , 邱火勤 , 王昭 , 刘敏 , 袁冬梅 , 王营霞

稀有金属材料与工程

采用X射线四环衍射及电子背散射衍射技术对Ni-9.3at%W (Ni9W)温轧基带表面进行轧制织构与再结晶织构分析,研究了Ni9W合金基带温轧织构的形成与转变.结果表明,轧制过程采用温轧的方法能有效提高Ni9W合金基带轧制织构中的S取向与C取向的含量,并且随着变形量的增加Ni9W合金基带的形变织构由黄铜型织构向黄铜型和铜型的混合型织构转变,这有利于再结晶之后形成较强的立方织构.

关键词: Ni9W合金基带 , 温轧 , 温轧织构 , 立方织构

GaAs-GaN键合界面热应力的电子背散射衍射研究

田彦宝 , 吉元 , 赵跃 , 吴迪 , 郭霞 , 沈光地 , 索红莉 , 周美玲

人工晶体学报

采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术,观察和分析了GaAs和GaN晶片热压键合的界面热应力和晶片键合质量.利用EBSD测量了GaAs-GaN键合界面的菊池花样质量、晶格转动、晶格错配和位错密度等应力敏感参数.结果表明,晶片键合质量良好,键合界面中心区域的热应力小于边缘区域的热应力.GaN层和GaAs层中的应力影响范围,在中心区域分别约为100 nm和300 nm,在边缘区域分别约为100 nm和500nm.EBSD显示的应力分布图与模拟应力场相似.模拟和计算表明,最大剥离应力和剪切应力分布在键合界面的边缘.剥离应力是导致晶片解键合的主要原因.

关键词: GaAs-GaN , 热应力 , 晶片键合 , 电子背散射衍射(EBSD)

涂层导体用织构复合基带的界面及其扩散行为

高忙忙 , 索红莉 , 赵跃 , 高培阔 , 程艳玲 , 田辉 , 马麟 , 刘敏 , 周美玲

稀有金属材料与工程

复合基带是一种高强、低磁并较易形成锐利立方织构的高性能织构金属基带,能够较好地满足制备高性能涂层导体用织构基带的要求.采用放电等离子烧结方法制备了Ni5W/Ni12W/Ni5W复合基带并对其内外层界面进行了研究,发现扩散界面有利于外层合金立方织构的形成.同时,将基带在1250℃分别经60,120和180 min热处理后,基带外层合金立方织构含量均保持在98%以上.分析表明,在高温热处理阶段复合基带中界面处发生了元素互扩散行为,W元素由芯层扩散至基带表层并在晶界出形成钉扎点,抑制了晶粒的异常长大现象,使复合基带外层合金立方织构在高温热处理阶段具有较好的稳定性.

关键词: 复合基带 , 立方织构 , 元素扩散 , 涂层导体

化学溶液法制备涂层导体过渡层La2Zr2O7厚膜的研究

王榕 , 索红莉 , 程艳玲 , 刘敏 , 赵跃 , 叶帅 , 高忙忙 , 周美玲

人工晶体学报

为制备高质量的双轴织构La2Zr2O7(LZO)涂层导体过渡层,本文采用化学溶液法(Chemical solution deposition,简称CSD法),以乙酰丙酮镧和乙酰丙酮锆为溶质,丙酸为溶剂配制成前驱盐溶液,在立方织构的Ni-5 at%W基底上用快速一步法退火工艺制备了LZO种子层及双层LZO厚膜.SEM观察种子层呈岛状均匀排列,符合种子层形貌特点.XRD结果显示0.06 mol/L浓度种子层上制备的LZO厚膜具有很强的双轴立方织构,其中(222)面Phi扫描和(400)面摇摆曲线半高宽值分别为6.37°和5.82°.SEM观察发现120 nm厚的LZO薄膜表面平整,无裂纹,为后续沉积YBCO提供了很好的模板.

关键词: 涂层导体 , CSD方法 , LZO过渡层 , 种子层

初始晶粒尺寸和轧制间回复退火对Ni-9.3at%W合金基带立方织构形成影响的研究

王金华 , 索红莉 , 马麟 , 田辉 , 孟易辰 , 李孟晓 , 王毅 , 刘敏 , 王高生

稀有金属材料与工程

无磁性、高强度Ni-9.3at%W (Ni9W)合金由于其较低的层错能,难以通过传统的轧制及再结晶退火得到强立方织构.本工作采用熔炼制坯路线,结合均匀化退火和中间再结晶退火的方法得到了晶粒尺寸细小,合金元素W均匀分布的Ni9W坯锭,通过总变形量为99%的轧制,中间引入四次轧制间回复退火得到了厚度为80 μm的Ni9W轧制基带,最后采用两步再结晶退火的方式得到了再结晶立方织构含量为80.2% (<10°)的Ni9W合金基带.

关键词: 基带 , 均匀化退火 , 初始晶粒尺寸 , 回复退火 , 立方织构

涂层导体用Ni9W合金基带再结晶及强立方织构的形成研究

梁雅儒 , 田辉 , 索红莉 , 马麟 , 王金华 , 孟易辰 , 王盼 , 彭发学

稀有金属材料与工程

采用X射线四环衍射技术对比分析了通过冷轧和轧制中间热处理制备的2种Ni-9.3at%W (Ni9W)合金基带的轧制织构和再结晶织构,研究了不同Ni9W合金基带在热处理过程中轧制织构向再结晶织构的演变.其次,采用背散射电子衍射(EBSD)技术对以上2种Ni9W合金基带的微观组织和立方织构进行了表征.结果表明,与传统冷轧Ni9W合金基带的轧制织构相比,经轧制中间热处理后其轧制织构中S取向和Copper取向的含量增加、Brass取向的含量减少,使其轧制织构的类型介于Brass型轧制织构与Copper型轧制织构之间.2种Ni9W合金基带经低温回复后,其轧制织构含量均有一定的增加;另外,再结晶过程中轧制织构的含量均迅速降低,但立方取向的含量并没有明显增加,而是出现大量的随机取向,Ni9W的再结晶具有了连续再结晶的特征,这也是导致Ni9W合金基带较难形成立方织构的一个主要原因.虽然经过轧制中间热处理后Ni9W合金基带在初始再结晶完成后并没有形成一定强度的立方织构,但其立方取向的含量仍然能在进一步热处理过程中通过立方取向晶粒的长大而得到加强.最后,采用轧制中间热处理制备的Ni9W合金基带经两步高温热处理后其立方织构的含量达到84.5%(<15°).

关键词: Ni9W合金基带 , 轧制织构 , 轧制中间热处理 , 再结晶 , 立方织构

改进YBCO薄膜高场性能的研究进展

叶帅 , 索红莉 , 刘敏 , 赵跃 , 何东 , 祝永华 , 马灵姬 , 周美玲

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.01.005

YBCO涂层超导材料是一种有着广泛应用前景和巨大潜在商业价值的高温超导材料之一.要真正实现其实用化,不仅要提高涂层超导自场下的载流能力,而且要求它在较高的外加磁场下也具有较大的载流能力,所以提高薄膜的场性能成为涂层超导研究的热点.本文详细地总结了目前常用的三种改进YBCO高场性能的方法,即:1)纳米颗粒掺杂;2)改变过渡层的表面粗糙度;3)制备夹层结构薄膜的方法,并从制备工艺对性能的影响、存在的优缺点以及未来的发展趋势等方面介绍了提高YBCO涂层超导场性能这一领域的国内外最新研究进展.

关键词: 涂层超导 , 高场性能 , 纳米颗粒掺杂 , 表面修饰 , 夹层结构

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