籍小兵
,
周旗钢
,
刘斌
,
徐继平
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.06.011
研究了在不同温度下生长多晶硅吸杂薄膜,薄膜应力对硅单晶抛光片翘曲参数的影响,并对所得的多晶硅薄膜结构进行扫描电镜观察.实验结果表明,随着沉积温度的不断升高.多晶硅晶粒不断长大,晶界减少,多晶硅薄膜应力逐渐降低.吸杂硅片的翘曲度逐渐减小,综合考虑硅片的吸杂效能与弯曲翘曲度控制,650～680℃为多晶硅薄膜最佳沉积温度.
关键词:
沉积温度
,
多晶硅
,
吸杂
,
晶粒
