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Eu3+:LiNbO3单晶的坩埚下降法生长及其光谱性质

夏海平 , 王金浩 , 曾宪林 , 宋宏伟 , 章践立 , 张约品 , 王铁 , 徐键

功能材料

选用合适的温度梯度(20~30℃/cm)与生长速度(1~3mm/h),用坩埚下降法成功地生长出了掺杂Eu3+的LiNbO3单晶.用X射线衍射及DTA分析表征了获得的晶体.生长的晶体无宏观缺陷,在He-Ne激光的照射下,无散射中心.测定了从生长初期下部到生长后期上部晶体的紫外-可见吸收光谱与荧光光谱.观测到分裂的光谱线.结果表明,沿着晶体生长方向,Eu3+浓度逐步减少.Eu3+离子在晶体中取代Li与Nb格位.

关键词: Eu3+ , LiNbO3晶体 , 下降法 , 荧光光谱

Cr3+:LiNbO3单晶的坩埚下降法生长及其特征研究

夏海平 , 王金浩 , 曾宪林 , 章践立 , 张约品 , 徐键 , 聂秋华

功能材料

用坩埚下降法技术,选用同成分化学计量的铌酸锂为初始原料,在合适的生长速度(1~4mm/h)与温度梯度(20~30℃/cm)下成功地生长出了无宏观缺陷、掺杂不同Cr3+离子浓度的铌酸锂单晶.测定了晶体的吸收光谱.Cr3+离子在晶体中以三价态存在,沿着生长方向晶体中Cr3+离子的含量逐步减少.用顺磁共振谱(EPR)研究了晶体中Cr3+离子的格位情况,结果表明Cr3+离子取代Li与Nb两种格位.测定了晶体的发射光谱并研究了发射强度随吸收强度的变化关系.

关键词: 掺铬铌酸锂晶体 , 熔体晶体生长 , 坩埚下降法 , 格位 , 光谱

Cr3+离子在不同介质中的光谱特征及晶格场强度

夏海平 , 王金浩 , 王洪影 , 章践立 , 张约品 , 宋宏伟

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.02.012

研究Cr3+离子掺杂固体物质的制备工艺以及光谱特性有助于开发新的光学材料.本研究分别用提拉法技术生长了Cr3+∶BeAl2O4晶体, 用坩埚下降法技术生长了Cr3+∶LiNbO3晶体, 以及用高温熔融法技术研制了ZnO-Al2O3-SiO2微晶玻璃.获得了生长优质Cr3+∶BeAl2O4与Cr3+∶LiNbO3的工艺参数.分别测定与讨论了Cr3+离子在上述不同介质中的吸收光谱与荧光光谱特征.实验发现Cr3+离子在不同介质中, 其吸收光谱与荧光光谱的位置与形状在不同基质中发生很大的差异.在Cr3+∶BeAl2O4与Cr3+∶LiNbO3晶体中均观测到尖锐的R线荧光.从其相应的光谱特性大致估算了Cr3+离子在不同介质中的晶格场参数.从Dq/B值数据判断Cr3+∶BeAl2O4与Cr3+∶LiNbO3晶体属于强晶格场, Cr3+∶ZnO-Al2O3-SiO2与其微晶玻璃属于弱晶格场.

关键词: Cr3+离子 , 晶体 , 玻璃 , 光谱 , 晶格场强度 , 稀土

Fe:LiNbO3单晶的坩埚下降法生长及其成分不均匀性研究

曾宪林 , 王金浩 , 夏海平 , 章践立 , 姚连增

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.005

本文报道了用坩埚下降法生长Fe:LiNbO3晶体的新工艺.通过选择合适的原料配比、控制固液界面的温度梯度为20~40℃/cm及晶体生长速度0.8~1.5mm/h,生长出掺杂0.04mol%Fe2O3的无宏观缺陷LiNbO3单晶.XRD图谱和DTA曲线用来表征所得晶体,并且测定了从晶体下部到上部的紫外可见吸收光谱.结果表明:沿生长方向,晶胞参数a、c增大,熔点降低,晶体中的Fe2+浓度呈增加趋势,作者分析了造成成分不均匀分布的原因.

关键词: Fe:LiNbO3 , 晶体生长 , 下降法 , 不均匀性

溶胶-凝胶手性材料的研究

夏海平 , 陶卫东 , 王金浩 , 章践立 , 张约品

稀有金属材料与工程

将手性分子葡萄糖(glucose,C6H12O6)与灰黄霉素(griseofulvin,C17H17ClO6)掺入到溶胶-凝胶固体材料中,研究了复合材料的极化特性、吸收光谱与热稳定性.差热分析(DTA)结果表明掺杂于凝胶中的C6H12O6与C17H17ClO6分子在空气环境下,分别在210℃与350℃温度以下时,能够稳定存在.在红外光谱中,观测到由OH离子吸收引起的1.4 μm的吸收带.掺杂于固体介质中的手性分子保持了在溶液中的旋光性质.C6H12O6与C17H17ClO6分子在凝胶中的旋光率分别为-0.95°/cm与-1.45°/cm,技术所得的手征参数分别为1.55×10-7与2.37×10-7.

关键词: 有机手性分子 , 溶胶-凝胶化学,光学旋光性

溶胶-凝胶法制备CeAl:DyIG磁光薄膜

张约品 , 夏海平 , 徐键 , 章践立 , 王金浩

稀有金属材料与工程

用柠檬酸络合物型溶胶-凝胶法制备了CeAl:DyIG磁光薄膜.利用DTA分析了材料的制备过程,用AFM观察了薄膜的表面形貌,以及用XRD分析了不同晶化温度的薄膜结构.测试了薄膜样品的吸收谱及法拉第谱,研究薄膜的光学及磁光性能.实验结果表明,薄膜结构随晶化温度升高而变化,900℃晶化处理后薄膜形成了无择优取向的单一石榴石相,最佳晶化温度为900℃.在470 nm法拉第角为1.9°/μm,用溶胶-凝胶法制备的薄膜在短波长有较大的法拉第磁光效应.

关键词: 磁光存储 , 铈取代石榴石薄膜 , 溶胶-凝胶法

Zn,Co双掺杂近化学计量比LiNbO_3晶体的生长及性能

夏海平 , 张嗣春 , 王金浩 , 章践立

人工晶体学报

以K_2O为助熔剂,应用坩埚下降法生长出了Co~(2+) 初始浓度为0.5 mol%,以及ZnO分别为3 mol%与6 mol%的单掺与双掺杂SLN晶体(分别用SLN0, SLN3, SLN6表示).测定了晶体上下部位的吸收与发射光谱.在晶体的吸收光谱中均可观察到520 nm,549 nm,612 nm,1447 nm四个吸收峰,表明Co~(2+)处于晶体的八面体场中.ZnO的掺入明显地改变了吸收峰的相对强度.在520 nm光的激发下,观察到776 nm的荧光发射,其荧光强度的相对强弱也与ZnO的掺杂量有明显的联系.从吸收边带估算出SLN0, SLN3, SLN6晶体中Li2O的含量分别为49.06 mol%,49.28 mol%, 49.10 mol%.ZnO的掺杂量对Co~(2+)在铌酸锂晶体中的浓度分布有很大的影响作用,当ZnO的掺入量为3 mol%时,明显地抑制了Co~(2+)在LiNbO_3晶体中的掺入,当ZnO掺杂量达到6 mol%时,抑制作用减弱.本文从Zn~(2+)在LiNbO_3中随浓度变化的分凝情况以及对Co~(2+)的排斥作用解释了Co~(2+)在晶体中的分布特性以及光谱的变化情况.

关键词: 近化学计量比LiNbO_3 , 助熔剂坩埚下降法 , 光谱

掺Eu(3+)近化学计量比铌酸锂晶体的生长与光谱特性

万云涛 , 夏海平 , 张嗣春 , 章践立

功能材料

以K2O为助熔剂,采用大的固液界面温度梯度(90~100℃),应用坩埚下降法成功地生长了含Eu(3+)离子(原料中初始Eu(3+)摩尔浓度0.95%)的近化学计量比铌酸锂单晶.测定了晶体中Eu(3+)离子的浓度以及晶体的室温吸收光谱、激发与发射光谱.根据晶体吸收边的位置,估算出晶体中Li2O的摩尔分数含量为约49.47%.分别在光谱与激发光谱中观测到特征的Eu(3+)吸收与激发峰.在394nm波长光的激发下观测到5D0-7F(J](0,1,2,3,4)的荧光发射峰.根据测得的不同部位Eu(3+)离子的浓度与不同部位晶片的吸收和发射峰的强度情况,可推断出Eu(3+)离子浓度在晶体中的分布沿着生长方向逐渐减少.根据测得的Eu(3+)浓度,计算得到有效分凝系数为约1.02.

关键词: Eu3+离子 , K2O , 近化学计量比铌酸锂 , 坩埚下降法 , 光谱

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