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王三胜 , 顾彪 , 徐茵 , 秦福文 , 窦宝锋 , 杨大智
材料导报
GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二板管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景.介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用,并讨论了今后的发展趋势.
关键词: GaN , 外延生长 , 掺杂 , 半导体器件
