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高分子辅助化学溶液沉积制备涂层导体CeO2缓冲层

李果 , 蒲明华 , 孙瑞萍 , 王文涛 , 张欣 , 武伟 , 雷鸣 , 张红 , 杨烨 , 程翠华 , 赵勇

稀有金属材料与工程

分别采用两种高分子辅助化学溶液沉积方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上制备了涂层导体CeO2缓冲层.结果表明,制得的CeO2缓冲层双轴织构良好,表面无裂纹.比较两种不同的高分子辅助方法,利用聚甲基丙烯酸辅助制得的CeO2表面平整,均方根粗糙度在1 μm×1μm的范围内仅为2 nm,粗糙度远小于利用聚乙烯醇辅助沉积而得的CeO2缓冲层.

关键词: CeO2缓冲层 , 高分子辅助 , 化学溶液沉积

一种新型化学溶液沉积法制备涂层导体用RE2O3(RE=Y, Sm, Eu, Dy, Yb)缓冲层

雷鸣 , 李果 , 孙瑞萍 , 蒲明华 , 王文涛 , 武伟 , 张欣 , 张红 , 张勇 , 程翠华 , 赵勇

稀有金属材料与工程

用一种新的化学溶液沉积方法在双轴织构NiW (200)合金基底上制备了涂层导体用稀土氧化物RE2O3(RE=Y, Sm, Eu, Dy, Yb)缓冲层.分别利用X射线衍射,扫描电子显微镜,原子力显微镜对制得的RE2O3缓冲层的相结构、织构、表面形貌和平整度进行了检测.结果表明,RE2O3缓冲层具有较好的双轴织构,表面平整无裂纹.

关键词: RE2O3缓冲层 , 化学溶液沉积 , 双轴织构

铁基超导体LaOFeAs,AFe2As2(A=Sr,Ca),MFeAs(M=Li,Na),FeSe的晶体结构、磁性及电子结构的第一性原理研究

潘敏 , 冯勇 , 程翠华 , 赵勇

稀有金属材料与工程

采用密度泛函理论(density functional theory,DFT)中的线性缀加平面波结合增强局域轨道(linearized augmented plane wave and the improved local orbital,APW+lo) 的方法研究了新型铁基超导体LaOFeAs,SrFe2As2,CaFe2As2,LiFeAs,NaFeAs和FeSe的晶体结构、磁性以及电子结构.计算结果表明,铁基超导体的超导电性与该类材料的晶体几何构造以及母体的磁性有密切的关联;超导转变临界温度Tc可以随着FeAs4四面体的畸变程度的减小以及[FeAs]层间距L的增大而提高.进一步对电子结构的研究发现,铁基超导体的磁性主要来自Fe原子的磁矩,pd杂化态决定体系的物理性质,且成为铁基超导体的共有特征.

关键词: 铁基超导体 , 结构 , 电子性质 , 磁性

La和Pr掺杂对Ba0.6K0.4BiO3结构及超导电性的影响

崔雅静 , 陈永亮 , 程翠华 , Charles C.Sorrell , 赵勇

稀有金属材料与工程

利用熔盐法制备了Ba0.6-yLayK0.4BiO3和Ba0.6-zPrzK0.4BiO32个系列的样品,其中La和Pr的掺杂量y和z分别为0,0.025,0.05,0.1,0.2,0.3,0.4.X射线粉末衍射结果显示,Pr掺杂使得BKBO晶体结构由最初的立方晶系转变成为正交晶系,但是La掺杂样品却没有发生此种晶体结构的变化.La掺杂样品Ba0.6-yLayK0.4BiO3的准晶格参数aP随掺杂量的增大而线性减小,其变化遵循ap=4.28257-0.02469y(0.025 ≤y≤ 0.4)的规律.样品磁性测量结果表明,掺杂样品的超导转变温度Tc均随着掺杂量的增大而系统性地减小,并且当掺杂量达到0.2时,2个系统中的超导转变均消失.认为掺杂引起的晶体结构扭曲及铋化合价的不均衡导致了BKBO掺杂系统超导电性的变化.

关键词: Ba0.6K0.4BiO3 , 掺杂 , 晶体结构 , 熔盐法

扩散法制备CNTs掺杂的MgB2超导块材

杨烨 , 周杰俤 , 程翠华 , 冯勇 , 张勇 , 赵勇

稀有金属材料与工程

采用扩散法制备高Jc的MgB2超导块材,将制各样品的超导性能与传统固相反应法制备CTNs掺杂的MgB2超导块材的性能做详细对比.研究发现,所采用的新型扩散方法可以有效地提高MgB2块材的密度,减少原料Mg粉中氧的不利影响,该法制备的MgB2块材更为均匀,MgO杂相较少,从而可以在自场下得到较高的临界电流密度,但在高场下性能提高并不明显,而CNTs掺杂可以有效改善扩散法制备的样品在高场下性能较差的弱点.CNTs掺杂量为0.5%(质量分数)的样品,在10 K,4 T条件下,Jc仍有1.0×104 A/cm2,在零场下更达到了0.46 MA/cm2,比在相同条件下用固相反应法制备的样品要高2~3倍.

关键词: MgB2 , 临界电流密度 , 超导电性能

提拉法制备Sm0.2Ce0.8O1.9单层缓冲层及其性能研究

雷鸣 , 王文涛 , 蒲明华 , 何龙健 , 程翠华 , 赵勇

稀有金属材料与工程

在双轴织构的Ni-5%W合金基带上,采用高分子辅助化学溶液沉积法通过提拉涂敷法,制备了厚度达250 nm的Sm0.2Ce0.8O1.9(SCO)外延织构单层缓冲层.通过严格控制前驱溶液的浓度、提拉速度、成相温度和热处理时间,所获的SCO单层缓冲层涂层平整、无微裂纹、且具有较强的(200)c轴外延织构.在其他条件假设不变的情况下,主要研究不同提拉速度对SCO缓冲层薄膜性能的影响.在此基础上,采用化学溶液法在SCO/NiW缓冲层上制备了YBCO超导层,其具有高度的双轴织构和均匀的表面形貌.结果表明:用提拉法获得的SCO单层缓冲层在具有适度的厚度下,仍然具有很好的织构传递特性,为低层本制造YBCO涂层导体长带提供了一条可靠的路线.

关键词: Sm0.2Ce0.8O1.9-x(SCO) , 高分子辅助化学溶液沉积 , 提拉法

PbS量子点/ZnO纳米片复合膜的制备及其光电化学性能

廖鑫 , 杨峰 , 蒲明华 , 赵勇 , 程翠华

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00059

通过两步法合成PbS量子点(QDs)修饰ZnO纳米片复合膜. 首先利用电化学法在掺氟的SnO2导电玻璃(FTO)上生长ZnO纳米片, 然后在ZnO纳米片上通过逐次化学浴法沉积PbS量子点形成PbS/ZnO复合膜. 利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)详细表征了样品的表面形貌和晶体结构, 并研究了PbS/ZnO复合膜作为量子点敏化太阳能电池光阳极的紫外?可见吸收谱、光电化学性能和表面光电压谱. 对比ZnO纳米片经PbS量子点修饰前后, 发现PbS量子点修饰后光阳极的光吸收和光伏响应均从紫外区拓宽到了可见光区, 同时光电化学性能有了显著提高, 短路电流密度从敏化前的0.1 mA/cm2增加到0.7 mA/cm2, 效率由0.04%增加到0.57%. 与单一ZnO纳米片相比, PbS/ZnO复合膜的表面光伏响应强度明显增强, 说明PbS与ZnO之间形成了有利于光生电荷分离的异质结, 从而导致了PbS/ZnO复合膜光电性能的增加.

关键词: ZnO纳米片 , PbS quantum dots , quantum dots sensitized solar cells

染料敏化太阳能电池封装工艺的研究进展

黎颖 , 杨峰 , 程翠华 , 赵勇

材料导报

染料敏化太阳能电池(Dye-sensitized solar cells,DSSC)作为第3代太阳能电池而受到广泛关注,但使用寿命短一直是制约DSSC进入实用阶段的主要因素之一.液态电解质的DSSC往往因为电解质挥发或渗漏而失效,因此封装工艺成为保障此类DSSC性能稳定和持久的重要手段.将DSSC相关技术中的封装环节独立出来,简述了近几年来DSSC封装工艺的进展.主要对小面积DSSC、大面积DSSC模块(包括柔性DSSC、可填充DSSC)和管状DSSC的封装材料和流程以及几种DSSC的性能特点进行阐述,对封装技术的发展方向以及应用提出了一些看法.

关键词: 染料敏化太阳能电池 , 封装 , 封装材料

PbS量子点/ZnO纳米片复合膜的制备及其光电化学性能

廖鑫 , 杨峰 , 蒲明华 , 赵勇 , 程翠华

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00059

通过两步法合成PbS量子点(QDs)修饰ZnO纳米片复合膜.首先利用电化学法在掺氟的SnO2导电玻璃(FTO)上生长ZnO纳米片,然后在ZnO纳米片上通过逐次化学浴法沉积PbS量子点形成PbS/ZnO复合膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)详细表征了样品的表面形貌和晶体结构,并研究了PbS/ZnO复合膜作为量子点敏化太阳能电池光阳极的紫外-可见吸收谱、光电化学性能和表面光电压谱.对比ZnO纳米片经PbS量子点修饰前后,发现PbS量子点修饰后光阳极的光吸收和光伏响应均从紫外区拓宽到了可见光区,同时光电化学性能有了显著提高,短路电流密度从敏化前的0.1 mA/cm2增加到0.7 mA/cm2,效率由0.04%增加到0.57%.与单一ZnO纳米片相比,PbS/ZnO复合膜的表面光伏响应强度明显增强,说明PbS与ZnO之间形成了有利于光生电荷分离的异质结,从而导致了PbS/ZnO复合膜光电性能的增加.

关键词: ZnO纳米片 , PbS量子点 , 量子点敏化太阳能电池

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