程红娟
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张嵩
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徐永宽
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郝建民
材料科学与工程学报
GaN氢化物气相外延(HVPE)生长过程中,衬底表面的温度分布对其生长质量有着重要影响.我们采用计算机模拟,研究了GaN生长过程中所使用的不同结构石墨基座上的温度分布.根据所得不同结构下基座上的温度分布,选择衬底上温度分布最均匀的结构与普通实验使用的基座结构进行实验对比.结果发现,在实际的大流量载气的GaN生长中,采用优化的圆弧凹面结构石墨基座实验组的GaN晶体外延层的生长速率、生长质量和均匀性等比普通方法生长的更好.本文得到的不同HVPE生长环境下的基座结构优化设计方案,为HVPE炉体的设计和氮化物生长具有很好的指导意义.
关键词:
模拟
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GaN HVPE
,
基座
,
衬底
董洋洋
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黄峰
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王晶晶
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黄飞
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程红娟
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万阳
腐蚀与防护
doi:10.11973/fsyfh-201510004
通过腐蚀失重法、线性电位扫描法以及场发射扫描电镜(FE-SEM)和X-射线衍射(XRD)等表面分析技术对酸性环境用X52 MS管线钢在H2S饱和的5％ NaCl溶液中所形成的腐蚀产物膜的形貌、结构特征及物相组成进行了观察和分析.结果表明,在本试验条件下,腐蚀产物膜的主要成分由非晶态FeS逐步转变为四方相硫铁矿(mackinawite) FeS,且随着时间的延长,腐蚀产物膜厚度逐渐增加,结构也越来越致密;无论是平均腐蚀失重速率还是瞬时腐蚀电流密度Jcorr均随着时间的延长而降低,相对致密的mackinawite腐蚀产物膜对试样有一定的保护性,对X52MS管线钢的均匀腐蚀能够起到一定的抑制作用.
关键词:
X52 MS管线钢
,
湿H2S环境
,
腐蚀产物膜
练小正
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李璐杰
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张志鹏
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张颖武
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程红娟
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徐永宽
人工晶体学报
采用垂直布里奇曼法(VB法)生长2英寸GaSb单晶,分析了GaSb多晶产生的原因,即GaSb原料与覆盖剂中残留水分发生化学反应生成氧化镓残渣,残渣吸附在坩埚内壁导致GaSb多晶形成.通过增加覆盖剂除水工艺,成功生长出2英寸高质量GaSb单晶.此外,研究了单晶内部位错分布特点,结果显示GaSb晶体具有较低的位错密度,EPD≤500 cm-2;同时,对晶体进行XRD摇摆曲线测试,其FWHM值为27 arcsec,表明晶体质量较高;此外,对晶体进行了电学性能测试,结果显示制备的GaSb晶体呈P型导电,晶体迁移率为610 cm2/V·s,载流子浓度达到了1.68×1017cm-3.
关键词:
GaSb
,
垂直布里奇曼法
,
位错密度
,
覆盖剂
