孙兰弟
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张颖聪
,
吴大利
,
梁凯
,
张彦萍
,
贾瑞玲
,
秦倩倩
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程曦
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钱平平
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李文建
,
侯岁稳
原子核物理评论
以能量为80 MeV/u的12C6+离子为诱变源辐照油菜、胡麻、大葱和兵豆的干种子后, 研究了不同剂量处理对4种农作物M1和M2代种子出苗率及幼苗生长的影响. 实验结果表明: 重离子所导致的M1代生物学效应因不同的物种而表现出一定的差异, 适当剂量C离子辐照促进了油菜和胡麻M1代出苗率和幼苗的生长; 而不同剂量的C离子辐照抑制了大葱的出苗率和幼苗的生长; 兵豆3个剂量下的出苗率和对照相差很小, 但90 Gy辐照有利于其生长. 到了M2代, 4种作物辐照组的发芽率都低于各自的对照组; 30 Gy剂量下的油菜、胡麻和兵豆长势最好; 大葱依然是对照的长势最好.
关键词:
12C6+离子
,
出苗率
,
大葱
,
油菜
,
胡麻
,
兵豆
张冬敏
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朱世富
,
赵北君
,
高德友
,
陈俊
,
唐世红
,
方军
,
程曦
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.010
报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响.先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光,然后分别用H2O2溶液和NH4F/H2O2溶液对晶片进行湿法钝化;再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响.结果发现:用NH4F/H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min,晶片表面形成一层完整的高阻氧化层,表面漏电流最小、晶体电阻率提高1～2个数量级,达到109～10Ω·cm,适合探测器的制备.
关键词:
碲锌镉晶片
,
表面处理
,
漏电流
,
电阻率
,
形貌
高德友
,
赵北君
,
朱世富
,
唐世红
,
何知宇
,
张冬敏
,
方军
,
程曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.003
探索了一种Cd1-xZnxTe(CZT)探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究.利用XRD、红外透射谱和晶体电阻率表征了采用该装置在富Cd的同组分CZT粉末源包裹下,选择适宜的退火温度和时间进行退火后的CZT单晶片,晶片的电阻率有一定的提高,红外透过率有一定改善.XRD分析表明,经过退火后,CZT单晶片中的cd组分含量有一定增加.采用该方法退火后,晶体品质有一定提高.
关键词:
碲锌镉单晶片
,
退火
,
电阻率
,
XRD
,
红外透射谱
