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4种炭素材料的抗氧化性研究

程文雍 , 李楠 , 李轩科 , 梁峰

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2011.01.006

采用SEM、Raman光谱和TG-Dsc等手段研究了纳米碳管、天然石墨、酚醛树脂热解炭、炭黑改性酚醛树脂热解炭的抗氧化性.研究表明,这4种炭素材料的抗氧化性由强到弱的顺序为天然石墨、纳米碳管、炭黑改性酚醛树脂热解炭、酚醛树脂热解炭.

关键词: 碳材料 , 抗氧化性 , 石墨化程度

板状刚玉在中国的发展状况

赵义 , 沈明科 , 李雪 , 程文雍 , 方义能

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2013.01.017

简述了板状刚玉在国内的4个发展阶段:初期接触阶段、了解发展阶段、尝试生产阶段、发展壮大阶段；介绍了板状刚玉生产的基本过程,包括球磨、成球、干燥和烧结；指出了板状刚玉的发展趋势,以及存在的外观颜色不稳定、烧结球形料分层比例大、产能过剩的风险等问题.

关键词: 板状刚玉 , 氧化铝 , 发展状况

尖晶石种类和添加量对刚玉质透气座砖性能的影响

程文雍 , 沈明科 , 赵义 , 孙路安

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2014.03.014

在以板状刚玉颗粒（10～5、5～3、3～1、≤1 mm）、板状刚玉细粉（≤0．074 mm）、氧化铝微粉、铝酸钙水泥等为原料，按骨料与基质质量比为7030制备的纯刚玉质浇注料的基础上，分别采用w（Al2 O3）≈88％的电熔富铝尖晶石细粉和w（Al2 O3）≈72％的常规组成尖晶石细粉分别按3％、6％、9％的质量分数替代基础配方中的板状刚玉细粉制备了刚玉-尖晶石质浇注料，经110℃24 h、1000℃3 h和1650℃3 h处理后，研究了两种尖晶石细粉的添加量对浇注料常温物理性能、抗热震性和抗渣性能的影响。结果表明：1）随着富铝尖晶石细粉添加量的增加，110℃24 h和1000℃3 h处理后试样的抗折强度和耐压强度均下降；添加常规组成尖晶石细粉的试样在相同温度下处理后抗折强度变化幅度不大，而耐压强度先略微上升后降低。2）随着两种尖晶石添加量的增加，1650℃3 h处理后试样的体积密度先降低后上升，而线变化率先上升后下降。3）当两种尖晶石添加量（w）从3％增加至6％时试样经1100℃水冷热震3次后的强度保持率增加幅度明显增大；试样的抗渣性随两种尖晶石添加量的增加均逐步改善。4）以富铝尖晶石添加量为9％（w）的配方制备的刚玉-尖晶石质透气座砖在国内某钢厂150 t钢包中使用，寿命较纯刚玉质的提高7～8炉，较添加常规组成尖晶石的提高4～5炉。

关键词: 电熔富铝尖晶石 , 常规组成尖晶石 , 透气座砖 , 抗热震性 , 抗渣性能

钢包座砖和中间包水口周围填充用刚玉质捣打料的研制

沈明科 , 方斌祥 , 薛军柱 , 程文雍 , 方义能

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2014.05.014

根据钢厂现场需求，以棕刚玉、白刚玉、氧化铝微粉、二氧化硅微粉为主要原料，采用合理的颗粒配比，添加适当种类和数量的结合剂、增塑剂、膨胀剂、助烧剂和缓凝剂，研制出了存放时间长，与包底工作层浇注料结合良好，抗渣性能优异的刚玉质捣打料。研制的捣打料在钢厂中成功应用，满足了现场的使用需要。

关键词: 刚玉质捣打料 , 抗渣性能 , 烧结性能

RH炉用镁尖晶石砖和镁铬砖的使用性能比较

方斌祥 , 朱越男 , 尹明强 , 程文雍 , 薛军柱 , 沈明科

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2015.02.005

对RH炉用镁尖晶石砖和镁铬砖的显气孔率、强度、线变化率、抗热震性能和抗渣性能进行了比较.结果表明:镁尖晶石砖经不同温度处理后的显气孔率小于镁铬砖的,强度大于镁铬砖的;经1 600℃处理后的永久线膨胀率和室温至1 500℃的热态线膨胀率大于镁铬砖的;抗热震性能和抗渣渗透性能优于镁铬砖的,抗渣侵蚀性能与镁铬砖的相当.认为镁尖晶石砖具备替代镁铬砖成为RH炉用新一代环保炉衬材料的可能.

关键词: RH炉 , 镁铬砖 , 镁尖晶石砖 , 使用性能

Ga杂质分布对晶体管V-I特性的影响

裴素华 , 黄萍 , 程文雍

稀有金属材料与工程

利用低浓度掺杂-结深推移-高浓度掺杂设计方法形成Ga基区,制备出NPN晶体管样品.实验结果与理论分析表明:Ga的线性缓变分布和SiO2薄膜覆盖下的扩散,大幅度提高了器件耐压水平与综合电学性能;IC-VCE中的负阻效应是由Ga原子表面浓度经二次氧化变为耗尽状态所致,对此,可采用Si3N4/SiO2/Si复合结构加以改善;总之,开管扩镓是一种制备高压器件不可比拟的新途径.

关键词: Ga , 浓度梯度 , SiO2 , 器件耐压 , 负阻效应

SiO2-Si界面实现Ga掺杂的研究

裴素华 , 黄萍 , 程文雍

稀有金属材料与工程

通过原子力显微镜(AFM)、二次离子质谱(SIMS)、扩展电阻(SRP)等方法对Ga在SiO2薄层、SiO2-Si界面的扩散特性进行测试表征与机理分析.其结果表明:源于H2和Ga2O3高温反应新生成的元素Ga,经SiO2薄层的快速吸收和输运,到达SiO2-Si的界面,其吸收-输流量在确定的扩散条件下正比于掺杂时间:Ga在SiO2-Si界面按照固-固扩散原理和凭借在Si内有较高溶解度特性实现了Si体内有效扩散;上述两者的有机结合,使Ga原子通过理想表面扩入硅体,从而得到高均匀性、高重复性的扩散结果.

关键词: Ga , SiO2 , SiO2-Si界面 , 吸收和输运 , 固-固扩散

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