董凯锋
,
程晓敏
,
鄢俊兵
,
程伟明
,
缪向水
,
许小红
,
王芳
,
杨晓非
功能材料
采用射频磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了不同Ag层厚度的[Ag/FePt 2nm]10多层薄膜,经550℃真空热处理后,得到L10有序结构的FePt薄膜.实验结果显示,FePt单层薄膜经550℃退火30min后其易磁化轴处于垂直方向和面内方向之间,而550℃退火60min后其易磁化轴处于垂直于膜面方向,垂直矫顽力和面内矫顽力分别为634和302kA/m;真空退火后[Ag/FePt]10多层膜表现为面内磁晶各向异性,550℃退火60min后[Ag 2.8nm/FePt 2nm]10多层薄膜垂直矫顽力和面内矫顽力分别为309和778kA/m,并且随着Ag层的加入,部分FePt颗粒已经被Ag原子隔开了,颗粒之间的交换耦合作用变弱了.
关键词:
FePt薄膜
,
矫顽力
,
退火时间
程伟明
,
李佐宜
,
杨晓非
,
黄致新
,
鄢俊兵
,
李震
,
程晓敏
,
林更琪
稀有金属材料与工程
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了TbFeCo/Pt非晶垂直磁化膜,研究了Pt底层对TbFeCo薄膜磁性能与磁光性能的影响.结果表明:具有微小颗粒凹凸结构的Pt底层可以显著增大TbFeCo薄膜的垂直磁各向异性场与矫顽力,改善薄膜的磁光温度特性.
关键词:
射频磁控溅射
,
Pt底层
,
TbFeCo/Pt非晶垂直磁化薄膜
,
矫顽力
,
克尔旋转角
程伟明
,
李佐宜
,
胡珊
,
杨晓非
,
董凯锋
,
林更琪
功能材料
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了TbFeCo/Pt非晶垂直磁化膜,系统研究了溅射工艺参数对TbFeCo薄膜磁性能的影响.振动样品磁强计测量结果表明:Tb含量在补偿成分点附近,采用较低的溅射氩气压与Pt底层,有利于提高TbFeCo薄膜的磁性能;当Tb含量为0.24,溅射功率为300W,溅射气压为0.53Pa,薄膜厚度为140nm时,TbFeCo/Pt薄膜矫顽力达到476kA/m,饱和磁化强度为151kA/m,剩磁矩形比超过0.8,该薄膜有望用作高密度光磁混合记录介质.
关键词:
射频磁控溅射
,
非晶垂直磁化膜
,
矫顽力
,
饱和磁化强度
,
光磁混合记录
董凯锋
,
杨晓非
,
鄢俊兵
,
程伟明
,
程晓敏
功能材料
采用射频磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了不同膜层结构的[Fe/Pt]n多层膜,经不同温度真空热处理后,得到L10有序结构的FePt薄膜.实验结果表明,[Fe/Pt]n多层膜结构可以有效降低FePt薄膜的有序化温度,350℃退火30min后其平行膜面矫顽力可达1.6×105A/m;多层膜结构中,Pt层厚度与Fe层厚度相同时,矫顽力最大,当Fe、Pt层厚度比偏离1:1时,在Fe/Pt接触处易产生Fe3Pt和FePt3软磁相;Pt层和Fe层厚度相等且总厚度相同的情况下,Fe、Pt单层厚度越薄,有序化温度越低,且对应的矫顽力大.
关键词:
L10-FePt薄膜
,
多层膜结构
,
矫顽力
,
有序化温度
张迪
,
程伟明
,
林更其
,
杨晓非
材料导报
使用射频磁控溅射方法在载玻片上制备Cu薄膜,并通过调整其溅射参数来改变Cu薄膜的内部结构.实验结果表明:当基的片加热温度为100～150℃、薄膜厚度为405 nm、溅射功率为150～300 W时,所制得的沿(111)面择优生长的Cu薄膜的Ⅰ(111)/Ⅰ(200)均大于15,可作为SmCo5垂直磁化薄膜的衬底层.
关键词:
射频磁控溅射
,
SmCo5
,
垂直磁化膜
,
Cu薄膜
程伟明
,
李佐宜
,
杨晓非
,
林更琪
,
晋芳
,
孙翔
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.04.002
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了NdTbCo/Cr非晶垂直磁化膜.探讨了溅射功率与溅射时间对薄膜磁性能的影响,发现当溅射功率为250 W,溅射时间为4 min时,垂直膜面方向矫顽力为272.8 kA·m-1,剩磁矩形比达到0.801,可以较好地满足高密度垂直磁记录的要求.研究了 Nd掺杂对薄膜磁性能与磁光性能的影响,发现随着Nd掺杂量的增多,薄膜的矫顽力从413.8下降为210.9 kA·m-1,饱和磁化强度与克尔旋转角则分别从144 kA·m-1和0.2720°上升为252 kA·m-1和0.3258°.温度对NdTbCo/Cr薄膜克尔旋转角的影响也与Nd的掺杂量密切相关.
关键词:
射频磁控溅射
,
非晶垂直磁化膜
,
矫顽力
,
剩磁矩形比
,
饱和磁化强度
,
克尔旋转角
晋芳
,
李佐宜
,
程伟明
,
鄢俊兵
,
林更琪
,
谢长生
功能材料
采用磁控溅射法制备了DyCo/Cr非晶垂直磁化膜.振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,有无Cr底层的DyCo薄膜都具有垂直磁各向异性,加入Cr底层能将DyCo薄膜的矫顽力从163kA/m提高到290kA/m.薄膜断面扫描电镜(SEM)照片可以看出,Cr底层能够诱导上层的DyCo薄膜形成柱状结构.这一柱状结构导致了薄膜矫顽力的提高.
关键词:
垂直磁化膜
,
稀土-过渡金属(RE-TM)
,
DyCo/Cr薄膜
,
矫顽力
