张俊禧
,
徐照芸
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王波
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秦毅
,
杨建锋
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赵中坚
,
胡伟
,
施志伟
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13531
以α-Si3N4为原料， Y2O3为烧结助剂，在三种不同的氮气压力(0.12、0.32和0.52 MPa)下烧结制备了多孔氮化硅陶瓷。研究了氮气压力对氮化硅的烧结行为、显微组织和力学性能的影响，分别通过SEM观察显微组织并统计晶粒的长径比，通过 XRD 对物相进行分析，并对烧结试样进行三点弯曲强度测试。随着氮气压力的提高，多孔陶瓷的线收缩率降低、气孔率提高，这是由于低熔点的液相中N含量随氮气压力的提升而增加，导致了液相粘度提高，抑制陶瓷致密化。随着氮气压力的提高，组织中的棒状β-Si3N4生长良好，晶粒长径比增大，其原因是高的液相粘度抑制了β-Si3N4形核，有利于β-Si3N4生长。由于β-Si3N4棒状晶的作用，陶瓷弯曲强度随氮气压力的升高得到改善，但是气孔率的升高降低陶瓷的强度。在0.52 MPa的氮气压力下烧结的多孔陶瓷气孔率达58%，弯曲强度为140 MPa。
关键词:
氮化硅
,
氮气压力
,
长径比
黄选民
,
幸泽宽
,
秦毅
,
孙庆华
,
韩国忠
电镀与涂饰
以不锈钢为基体,电沉积制备镍-铝复合镀层.研究了电流密度、pH、搅拌速率、镀液中A1颗粒含量及温度对镍-铝复合镀层外观和Al含量的影响.复合镀的较佳工艺参数为:NiSO4·7H2O(150±2)g/L,NH4C1(15±1)g/L,H3BO3(15±1)g/L,C12H25SO4Na (0.10±0.01)g/L,明胶0.5 g/L,Al颗粒30 g/L,消泡剂适量,温度(30±2)℃,pH 4.5,电流密度2.5 A/dm2,搅拌速率150 r/min,时间90 min.在较佳工艺下,所得镀层的A1含量为4.4％ ～ 5.2％(质量分数),表面较为均匀,但略显粗糙.
关键词:
镍
,
铝颗粒
,
复合电镀
,
外观
于方丽
,
白宇
,
秦毅
,
岳冬
,
罗才军
,
杨建锋
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12203
在单晶Si和多晶Cu基底表面上使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了SiC薄膜.通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线光电子能谱仪(XPs)及扫描电子显微镜(SEM)研究基底温度对SiC薄膜成分、结构及生长速度的影响规律.结果表明:在60～500℃基底温度下制备的SiC薄膜均为非晶态薄膜,薄膜的生长速度随基底温度的升高而线性降低,并且在相同沉积条件下,薄膜在Si基底上的生长速度要高于Cu基底.此外,薄膜中的硅碳原子比随基底温度的升高而降低,当基底温度控制在350℃左右时,可以获得硅碳比为1∶1较理想的SiC薄膜.
关键词:
碳化硅
,
等离子体增强化学气相沉积
,
非晶态薄膜
,
生长速度
,
基底温度
秦毅
,
赵婷
,
王波
,
杨建锋
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13549
采用射频等离子增强化学气相沉积设备，以高纯N2和B2H6为气源，制备了系列h-BN薄膜，得到适合生长h-BN薄膜的最佳工艺条件。在此条件下，研究了不同沉积时间和退火时间对薄膜组成和光学带隙的影响。采用傅立叶变换红外光谱仪、紫外可见光分光光度计和场发射扫描电子显微镜对样品进行了表征。实验结果表明：在衬底温度、射频功率和气源流量比率一定的条件下，沉积时间对h-BN薄膜成膜质量和光学带隙都有较大影响，且光学带隙与膜厚呈指数关系变化。700℃原位退火不同时间对 h-BN 薄膜的结晶质量有所影响，而物相和光学带隙基本没有改变。
关键词:
h-BN薄膜
,
沉积时间
,
退火时间
,
光学带隙
