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N-X共掺p型ZnO薄膜的研究进展

李万俊 , 孔春阳 , 秦国平 , 阮海波 , 杨天勇 , 梁薇薇 , 孟祥丹 , 赵永红

获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键.目前,国际上公认V族元素中的N替代O位(No)是实现p型ZnO较理想的掺杂途径.但p-ZnO:N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足.大量的理论和实验研究表明N基二元共掺( N-X)可以提高N在ZnO薄膜中的固溶度,浅化N的受主能级,且在很大程度上能够改善p型ZnO的导电性能,有利于获得稳定的p型ZnO薄膜.为此,从N基施主受主共掺、双受主共掺以及其它共掺方面综述了N-X共掺p型ZnO薄膜的研究现状.

关键词: p型ZnO薄膜 , N-X共掺 , 稳定性

C 掺杂浓度对 ZnO 薄膜电学和结构的影响

卞萍 , 孔春阳 , 李万俊 , 秦国平 , 张萍 , 徐庆

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.07.011

采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上成功制备了不同 C 掺杂浓度的 ZnO∶C 薄膜，借助于 X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall)、X 射线光电子谱(XPS)和拉曼散射光谱(Raman)等测试手段系统研究了 ZnO 薄膜的结构、电学以及拉曼特性并分析了 C 在ZnO 薄膜中存在形式。结果表明，所有薄膜都呈纤锌矿结构并具有高度的 c 轴择优取向。随着 C 掺杂浓度的增加，薄膜的 n 型导电性能不断增强，其主要原因是ZnO 薄膜中的 C 替代 Zn 位起施主作用。

关键词: C掺杂ZnO , 电学特性 , XPS , Raman

离子注入法制备N掺杂p型ZnO薄膜

朱仁江 , 孔春阳 , 秦国平 , 王楠 , 戴特力 , 方亮

材料导报

采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变.利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品热退火前后的性能进行了研究.实验数据表明,该掺杂方法能得到稳定的p型ZnO薄膜,其电学性能随热退火温度的升高和时间的延长而进一步改善,其中在950℃、7min退火条件时,载流子浓度为1.68E+16cm-3,电阻率为41.5Ω·cm.

关键词: 氧化锌薄膜 , p型 , 离子注入 , 制备

用新型尼龙亲和膜纯化人血浆蛋白

甘宏宇 , 商振华 , 秦国平 , 刘学良 , 王俊德

色谱 doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2001.03.004

以微孔尼龙膜为基质,分别采用三氯三嗪和1,4-丁二醇二甘油醚活化法制备了一系列亲和膜.首次使用平板亲和膜方法经一步操作即从人血浆中纯化得到高纯度的γ-球蛋白、纤溶酶原.电泳分析显示,纯化得到的人血浆γ-球蛋白,纯度在83%以上;纯化得到的γ-球蛋白和纤溶酶原的纯度均高于市售同类产品;另外,初步探索了人血浆凝血酶的一步纯化法.该法纯化得到的凝血酶比活为42.0 NIH单位/mg～42.5 NIH单位/mg.

关键词: 亲和膜色谱 , 尼龙膜 , 人血浆 , 纯化 , γ-球蛋白 , 纤溶酶原 , 凝血酶