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半导体GaAs—Ga0.65Al0.35As多量子阱的光谱性质及实现激光制冷的可能

张喜田 , 张伟力 , 高红 , 许武 , 秦伟平 , 张家骅 , 陈宝玖

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.010

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质,在GaAs量子阱的光致发光中观察到上转换发光,首次提出GaAs量子阱结构可能实现激光制冷,探索了GaAs量子阱结构的发光机理。

关键词: 光致发光 , 激发光谱 , 量子阱 , 激光制冷 , 上转换

金红石TiO2基质中[MoO4]2-基团的上转换发光

吴长锋 , 秦伟平 , 秦冠仕 , 赵丹 , 张继森

无机材料学报

在978nm激光二极管的激发下,Mo掺杂的TiO2材料表现出很强的宽带上转换发光,该发光来源于[MoO4]2-基团的激发态3T1,3T2能级到基态1A1能级的电子跃迁,X射线衍射表明样品为金红石单一相,红外吸收光谱证实了[MoO4]2-的存在,由光电子能谱推测体系中还含有低价态的Mo离子,它们提供了上转换得以进行的中间态,高温下的氧化还原处理会改变低价Mo的数量,从而严重影响样品的发光行为。

关键词: 上转换 , TiO2 , [MoO4]2-

金红石TiO2基质中[MoO4]2-基团的上转换发光

吴长锋 , 秦伟平 , 秦冠仕 , 赵丹 , 张继森

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.03.028

在978nm激光二极管的激发下,Mo掺杂的TiO2材料表现出很强的宽带上转换发光,该发光来源于[MoO4]2-基团的激发态3T2,3T2能级到基态1A1能级的电子跃迁.X射线衍射表明样品为金红石单一相,红外吸收光谱证实了[MoO4]2-的存在.由光电子能谱推测体系中还含有低价态的Mo离子,它们提供了上转换得以进行的中间态.高温下的氧化还原处理会改变低价Mo的数量,从而严重影响样品的发光行为.

关键词: 上转换 , TiO2 , [MoO4]2-

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