秦丹丹
,
乔建房
,
邵刚
,
王海龙
,
许红亮
,
卢红霞
,
张锐
稀有金属材料与工程
选用α-SiC(4～10 μm)作为主晶相,SiO2-CuO作为晶界绝缘层,以两步包裹法制备SiC-SiO2-CuO复合颗粒.干压成型后,在不同温度下常压烧结制得边界层电容器.采用SEM、XRD及密度测试等手段对烧结品进行性能分析.结果发现:1300 ℃为最佳烧结温度,该温度下最高介电常数(ε)为713 100;电容器具有正的介温系数,介电常数在50 ℃附近急剧增大,而介质损耗(tanδ)在该温度点急剧降低,60 ℃之后两者均趋于稳定,这可能与界面处产生的空间电荷极化有关;电容器具有强烈的频率色散效应.
关键词:
SiC
,
边界层电容器
,
介电常数
,
介质损耗
秦丹丹
,
王海龙
,
辛玲
,
黎寿山
,
张锐
,
高濂
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.03.020
陶瓷电容器,尤其是边界层陶瓷电容器由于具有许多优良的性能,而越来越受到人们的重视.通常用于陶瓷电容器的材料是具有弛豫铁电性能的钛酸盐类材料.本文则介绍了将SiC材料用于制备陶瓷电容器,结果发现,电容器的介电常数高达2 910 000,远远高于传统材料;而同时,其介质损耗也非常高.在此,对降低损耗的工艺过程进行了探讨.
关键词:
陶瓷电容器
,
SiC
,
介电常数
,
介质损耗
邵刚
,
王海龙
,
秦丹丹
,
刘瑞瑜
,
范冰冰
,
张锐
稀有金属材料与工程
采用非均相沉淀法制得Cu包裹SiC复合粉体,利用粉末冶金和常压烧结制备SiC(Cu)/Fe复合材料.利用Zeta电位仪、XRD,EDS以及SEM等手段对包裹粉体和烧结样品进行了分析.结果表明,采用非均相沉淀法可以得到Cu/SiC复合粉体.包裹后的粉体与原始SiC粉体的表面电位不同,达到了对SiC颗粒表面改性的目的.Cu作为过渡层改善了SiC/Fe的界面相容性,在1050℃烧结的样品只有微量的FeSi或Fe2Si生成,界面反应得到有效控制,获得化学结合的界面,温度过低不能烧结致密,温度过高出现大量缺陷.
关键词:
SiC/Fe复合材料
,
包裹
,
常压烧结
,
界面结合
