祝元坤朱嘉琦韩杰才梁军张元纯
材料研究学报
采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜, 研究了SiC薄膜经不同温度和气氛条件高温退火前后结构、成份的变化. 结果表明, 薄膜主要以非晶为主, 由Si--C键, C--C键和少量Si的氧化物杂质组成; 在真空条件下经高温退火后, 薄膜C--C键的含量减少, 而Si--C键的含量增加, 真空退火有利于SiC的形成; 在800℃空气中退火后, 薄膜表面生成一层致密的SiO2薄层, 阻止了氧气与薄膜内部深层的接触, 有效保护了内部的SiC. 在空气条件下, SiC薄膜在800℃具有较好的热稳定性.
关键词:
无机非金属材料
,
magnetron sputtering
,
thermal stability
,
high--temperature annealing
,
SiC films
