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532 nm连续激光对砷化镓材料损伤的研究

李永富 , 祁海峰 , 王青圃 , 张行愚 , 刘泽金 , 王玉荣 , 魏爱俭 , 夏伟 , 张飒飒

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.05.018

利用532 nm连续激光对掺Si的n型砷化镓材料进行作用,材料的晶轴方向为〈100〉偏〈111A〉方向15°.实验观察到,连续激光与材料相互作用过程中,材料作用表面的反射光在观察屏上形成环状结构,认为是由夫琅和费衍射产生的,并首次提出将衍射作为探测材料损伤的方法.实验测得砷化镓的阈值损伤功率密度为2.56×105W/cm2.利用温度场的热传导方程计算获得材料的损伤阈值时间与入射光功率密度的关系曲线,并与实验曲线进行了比较.

关键词: 激光技术 , 激光损伤阈值 , 夫琅和费衍射 , 砷化镓材料 , 532 nm连续激光 , 热传导

干涉法研究硅酸镓镧单晶的基本性质

魏爱俭 , 祁海峰 , 袁多荣 , 王增梅

功能材料

用全息干涉法研究了新型压电材料硅酸镓镧的折射率均匀性,利用干涉透过率谱法研究了双折射率.并通过测量透过率,计算了吸收系数.确定了吸收系数与光子能量的变化关系.

关键词: 硅酸镓镧单晶 , 折射率均匀性 , 吸收系数 , 双折射率

La3Ga5SiO14的BAW传播特性

魏爱俭 , 袁多荣 , 赵奕君 , 祁海峰

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.002

详细推导计算了声体波(BAW)在La3Ga5SiO14(LGS)晶体中分别沿YZ、XY、XZ面传播的纯切变波,准切变波,准纵波的表达式.绘制了LGS晶体在(100)、(010)、(001)这三个主晶面内声的慢度分布曲线图.计算了声速的最大值并与石英进行比较,结果表明LGS晶体的BAW传播速度一般比石英低1000m/s左右.为该晶体在声体波器件等方面的设计和应用提供了一定的理论指导作用.

关键词: La3Ga5SiO14晶体 , 克里斯托夫方程 , 慢度曲线 , 声速 , 声体波

Ca3NbGa3Si2O14晶体的BAW传播特性

石绪忠 , 袁多荣 , 魏爱俭 , 祁海峰 , 郭世义

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.008

本文计算了沿Ca3NbGa3Si2O14(CNGS)晶体的x、y和z方向传播的声体波(BAW)的声速,绘制了yz、xy和xz面传播的慢速度分布曲线.这些结果对CNGS晶体在压电器件的设计、开发及利用方面具有一定的理论指导意义.

关键词: Ca3NbGa3Si2O14晶体 , 克里斯托夫方程 , 慢速曲线 , 声体波

Sr3NbGa3Si2O14压电晶体旋光性质的研究

魏爱俭 , 祁海峰 , 袁多荣 , 王增梅

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.018

本文测定了紫外、可见光区新型压电晶体-Sr3NbGa3Si2O14(SNGS) 的透过率,并利用一种新方法即通过测量晶体在平行偏振系统中的透过率谱研究了其旋光性,且拟合出旋光色散曲线.此晶体属左旋单轴晶体,旋光非常大,其旋光率ρ在513nm处达到43.69°/mm.

关键词: 压电材料 , SNGS单晶 , 透过率 , 旋光率

Ca3NbGa3Si2O14单晶的光学性质

魏爱俭 , 祁海峰 , 袁多荣

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.05.010

Ca3NbGa3Si2O14单晶属硅酸镓镧的同系物,采用提拉技术生长.晶体为透明略带黄色,属三方晶系,32点群.利用TU-1901紫外可见光分光光度计测定透过波段为287~800 nm.在可见光范围内用椭圆偏振光谱法测定其非常光折射率ne大于寻常光折射率no,属于正光性单轴晶.通过一种新方法,即利用偏振光分光光度计测量透过率极值,间接计算了旋光度和旋光率,此单晶属右旋晶体,旋光率ρ非常大.在波长670 nm处,ρ为31.25°/mm;在波长307 nm处,ρ为218.75°/mm.计算了旋光率色散Boltzmann系数,绘制了旋光率色散曲线.

关键词: 压电材料 , 折射率 , 透过率 , 旋光率

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